Приложение
для AndroidПолное описание
Исследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - [Б. м. : б. и.]. - 13 c. : ил. - Пер. ст. Etude de la mobilite... / P. Gadaud, J. Woirgard из журн.: // Revue de physique appliquee. - 1988. - Vol. 23, N 5. - P. 919-924. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: 12 назв.
ГРНТИ 29.19.31
Рубрики:
Кремний
Кл.слова (ненормированные): подвижность -- дислокация -- трение -- кремний -- пик релаксации -- энергия активации
Доп. точки доступа:
Gadaud, P.
Woirgard, J.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Исследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Байрамов Б.Х. Неупругое рассеяние света свободными носителями заряда и связанными электрон-фононными возбуждениями в полупроводниковых кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Х. Байрамов, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный.Гвоздкова И.А. Исследование эффектов пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.05 / И. А. Гвоздкова, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стружкин В.В. Оптические свойства и электронная структура стекол As S ,As Se под давлением до 73 ГПа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / В. В. Стружкин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гэн Чунь.Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Гэн Чунь, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ижнин А.И. Люминесцентные свойства твердых растворов Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Ижнин, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Григоренко А.А. Электронная структура и оптические свойства соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Григоренко, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Крылова Н.О. Рентгеновская муаровая и плосковолновая топография дефектов в монокристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. О. Крылова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мельник Н.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в селениде цинка с термическими и радиационными дефектами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. Н. Мельник, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Клингер П.М. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. М. Клингер, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ли Шэнь.Термооптические нелинейности и бистабильность в CdS и CdS Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.10 / Ли Шэнь, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лукиянец Б.А. Теория электронного спектра и электрон-фононного взаимодействия в слоистых полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.02 / Б. А. Лукиянец, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Гарасим В.И. Получение и физические свойства монокристаллов твердых растворов Pb Sn S Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. И. Гарасим, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дадыкин А.А. Влияние состояния поверхности кремния на фотополевую электронную эмиссию,адсорбцию и поверхностную диффузию : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.04 / А. А. Дадыкин, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Мальтекбасов М.Ж. Электронные процессы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников,полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Ж. Мальтекбасов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Григорьев Р.В. Приповерхностная низкотемпературная фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов CdS : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Р. В. Григорьев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Федина Л.И. Формирование скоплений междоузельных атомов в кристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / Л. И. Федина, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гельфанд Р.Б. Электронная структура дефектов,содержащих водород и литий в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Р. Б. Гельфанд, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИсследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Рамановский микроанализ остаточных напряжений в обработанном кремнии и германии / Ин-т сверхтвердых материалов. - 21 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 75 c. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. First principles simulation of liquid silicon using langevin dynamics with quantum interatomic forces / J.R.Chelikowsky,N.Troullier,N.Binggeli, 1993. - 15 p.,6 l. p.,6 l. - Текст : непосредственный.Yeckel A. Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets / A.Yeckel,G.Salinger,J.J.Derby, 1994. - 34 p. - Текст : непосредственный.Binggeli N. Photoemission spectra and structures of Si clusters at finite temperature / N.Binggeli,J.R.Chelikowsky, 1995. - 10 p. - Текст : непосредственный.Vibrational modes of silicon nanostructures / X.Jing,N.Troullier,R.Chelikowsky и др., 1995. - 11 p. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. Atomic and electronic structure of silicon clusters at finite temperature / J.R.Chelikowsky,N.Binggeli, 1995. - Var.pag. - Текст : непосредственный.Лунц Д.Г. Физические свойства метастабильных фаз антимонида галлия и кремния / Д. Г. Лунц, С. В. Демишев, Н. Е. Случанко, 1996. - 22 c. - Текст : непосредственный.Айвазов А.А. Аморфный гидрогенизированный кремний и приборы на его основе : Учеб. пособие / А.А.Айвазов,Б.Г.Будагян, 1996. - 71 с. - Текст : непосредственный.Ogut S. Quantum confinement and optical gaps in Si nanocrystals / S.Ogut,J.R.Chelikowsky,S.G.Louie, 1997. - 4 p. - Текст : непосредственный.Cerofolini G.F. Physical chemistry of,in and on silicon / G.F.Cerofolini,L.Meda, 1989. - VIII,122 p. p. - Текст : непосредственный.Li J. MIDI! Basis set for silicon, bromine, and iodine / J.Li,Ch.J.Cramer,D.G.Truhlar, 1997. - 18 p. - Текст : непосредственный.Kruger M. Mikrostrukturierung von porosem Silicium fur optische und optoelektronische Anwendungen : Diss. / M.Kr@:uger, 1998. - XII,138 S. S. - Текст : непосредственный.Characterization of structural and electronic properties in undoped hydrogenated amorphous silicon / M.Stutzmann,G.Nobile,A.Rubino,P.Menna, 1990. - 19 p. - Текст : непосредственный.Glow-discharge hydrogenated amorphous silicon / ed. K. Tanaka, 1989. - X,277 p. p. - Текст : непосредственный.Quantum-size p-n juctions in silicon / N.T.Bagraev,A.M.Malyarenko,L.E.Klyachkin,V.L.Sukhanov, 1991. - 22 p. - Текст : непосредственный.Vasiliev I. Optical absorption and electronic excitations in hydrogenated silicon clusters / I.Vasiliev,S.Ogut,J.R.Chelikowsky, 1999. - 6 p. - Текст : непосредственный.Vasiliev I. Optical excitations in nanostructures: application of time dependent denstiy functional theory to Sin(n=3-10) clusters / I.Vasiliev,S.Ogut,J.R.Chelikowsky, 1999. - 8 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽