• ВХОД
  •  

    Полное описание

    G2/18688
    Stecher, C. ESR an verformungsinduzierten Defekten in Silizium unter uniaxialer Spannung : Diss. / C.Stecher. - Koln : [s. n.], 1994. - 92 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.91-92
    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.322:548.4(043)
    537.311.322:537.635(043)

    Рубрики:
    Кремний -- Кристаллы -- Дефекты
    Экз-ры полностью G2/18688
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽