Приложение
для AndroidПолное описание
621.382/П 533
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности : справочник / А.А.Зайцев,А.И.Миркин,В.В.Мокряков и др.;Пол ред. А.В.Голомедова. - 2-е изд.,стереотип. - М. : "Радио и связь" : "КУбК-а", 1994. - 640 c. : ил. - Авт. указ. на обороте тит.л. - 15000 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.3(03) | |
| 47.01.33 |
Рубрики:
Транзисторы -- Справочники
Доп. точки доступа:
Зайцев, А.А.
Миркин, А.И.
Мокряков, В.В.
Голомедов, А.В.\ред.\
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказаны экз-ры для отделов: ФО17, ФО19, ФО20, фо24, фо25, ФО26
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности : Справочник / А.А.Зайцев,А.И.Миркин,В.В.Мокряков и др.;Пол ред. А.В.Голомедова, 1994. - 640 c. - Текст : непосредственный.Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности : Справочник / А.А.Зайцев,А.И.Миркин,В.В.Мокряков и др.;Под ред.А.В.Голомедова, 1995. - 640 с. - Текст : непосредственный.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПолупроводниковые приборы:транзисторы : Справ. / В.Л.Аронов,А.В.Баюков,А.А.Зайцев и др.;Под общ.ред.Н.Н.Горюнова, 1985. - 902 c. - Текст : непосредственный.Справочник по зарубежным транзисторам (более 9 000 типов) 2SA..,2SB..,2SD..,2SC.. и др. / Сост.:Гончаров А.С.,Слинько В.П. Кн. 1 : (2SA..), 1994. - 63 с. - Текст : непосредственный.Tower's internationale Transistor-Vergleichsliste : :Uber 29000 amer.,europ.und jap.Transistoren mit ihren elektrischen und mechanischen Daten,ihre Hersteller und die verfugbaren Vergleichstypen:Ubers.aus engl., 1991. - 432 S. - Текст : непосредственный.Петухов В.М. Полупроводниковые приборы.Транзисторы.Дополнение первое : Справ. / В.М.Петухов, 1994. - 230 c. - Текст : непосредственный.Перельман, Б. Л. Новые транзисторы : Справ. Ч. 1, 1994. - 272 c. - Текст : непосредственный.Полупроводниковые приборы.Транзисторы малой мощности : Справ. / А.А.Зайцев,А.И.Миркин,В.В.Мокряков и др.;Под ред.А.В.Голомедова, 1994. - 384 c. - Текст : непосредственный.Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности : Справочник / А.А.Зайцев,А.И.Миркин,В.В.Мокряков и др.;Пол ред. А.В.Голомедова, 1994. - 640 c. - Текст : непосредственный.Триполитов С.В. Микросхемы, диоды, транзисторы : Справ. / С.В.Триполитов,А.В.Ермилов, 1994. - 381 c. - Текст : непосредственный.Перельман, Б. Л. Новые транзисторы : Справ. 1, 1995. - 259,9 с. с. - Текст : непосредственный.Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы : Дополнение второе. Справ. / В.М.Петухов, 1995. - 288 c. - Текст : непосредственный.Галкин В.И. Полупроводниковые приборы. Транзисторы широкого применения : Справочник / В.И.Галкин,А.Л.Булычев,П.М.Лямин, 1995. - 383 c. - Текст : непосредственный.Перельман, Б. Л. Новые транзисторы : Справ. Ч. 1, 1996. - 259 с. - Текст : непосредственный.Перельман, Б. Л. Новые транзисторы : Справ. Ч. 2, 1996. - 261 с. - Текст : непосредственный.Силовые полупроводниковые приборы : Справ. / Институт пром.развития Информэлектро. Т. 2 : Транзисторы, оптотиристоры, триаки, симметричные тиристоры, 1995. - 144 с. - Текст : непосредственный.Перельман, Б. Л. Новые транзисторы : Справ. Ч. 3, 1996. - 256 с. - Текст : непосредственный.Small-signal transistors : Data handbook SC04, 1995. - 1247 p. - Текст : непосредственный.Полупроводниковые приборы. Транзисторы КТ805АМ .. КТ829Г : Справ. / "Электронстандарт", российский НИИ (Санкт-Петербург), 1996. - 128 с. - Текст : непосредственный.Small-signal transistors for amplifier and switching applications : Data book 1988/89, 1988. - 155 p. - Текст : непосредственный.Петухов В.М. Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги : Справ.:Каталожное изд. / В.М.Петухов, 1996. - 672 с. - Текст : непосредственный.Транзисторы : Справочник. Вып. 1, 1996. - 192 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽