Полное описание
>
Физические основы полупроводниковых газовых сенсоров : монография / И. А. Аверин [и др.] ; Пенз. гос. ун-т. - Пенза : ПГУ, 2015. - 189 с. : ил. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 176-189 (140 назв.). - 500 экз. - ISBN 978-5-906831-72-9 : 260 р. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
59.35.29 | 543.27.08 |
Рубрики:
Газоанализаторы полупроводниковые
Аннотация: Изложены основные модели для определения свойств полупроводников при проектировании приборов на их основе, включая газовые сенсоры. Представлены расчеты поверхностной плотности индуцированного заряда, дифференциальной емкости, поверхностной концентрации подвижных носителей заряда и эффективной длины экранирования Дебая от величины поверхностного потенциала. Рассмотрено влияние поверхностных состояний полупроводника на его поверхностную проводимость и дифференциальную емкость. Приведены математические модели адсорбции молекул газовой среды и проведено моделирование хемосорбционной проводимости и адсорбционной чувствительности газовых сенсоров. Описаны оригинальные конструкция и методика получения датчиков вакуума на основе наноструктурированных материалов. Проанализированы конструкции газовых сенсоров на основе МДП-структур и представлены современные транзисторные элементы наноэлектроники для создания высокочувствительных и селективных газовых сенсоров.
Доп. точки доступа:
Аверин, И.А.
Головяшкин, А.А.
Головяшкин, А.Н.
Игошина, С.Е.
Карманов, А.А.
Пензенский гос. ун-т
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
Свободны: ПНТ (1)
Заказаны экз-ры для отделов: ФО17
Обложка
Заказ фрагмента документа ₽