Приложение
для AndroidПолное описание
Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.] ; под общ. ред. Р. В. Конаковой ; Нац. акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - Харьков : Ин-т монокристаллов, 2008. - 390 с. : ил. - (Состояние и перспективы развития функциональных материалов для науки и техники). - Библиогр. в конце гл. - 300 экз. - ISBN 978-9666-02-4742-0 : 260 р. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592-047.84 |
Рубрики:
Полупроводники -- Производство
Доп. точки доступа:
Агеев, О.А.
Беляев, А.Е.
Болтовец, Н.С.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Национальная академия наук Украины (Киев). Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Бланк А.Б. Аналитическая химия в исследовании и производстве неорганических функциональных материалов / А.Б.Бланк, 2005. - 348 с. - Текст : непосредственный.Семиноженко В.П. Диссипативные состояния и нелинейные эффекты в неоднородных сверхпроводниках / В. П. Семиноженко, В. Ф. Хирный, 2006. - 388 с. - Текст : непосредственный.Диэлектрики и полупроводники в детекторах излучения / Институт монокристаллов, 2006. - 357 с. - Текст : непосредственный.Болотин Ю.Л. Конструктивный хаос / Ю. Л. Болотин, А. В. Тур, В. В. Яновский, 2005. - 419 с. - Текст : непосредственный.Жмурин П. Н. Спектроскопия редкоземельных ионов в объемных и наноразмерных кристаллах / П. Н. Жмурин, Ю. В. Малюкин, 2007. - 338 с. - Текст : непосредственный.Материалы для нанофотоники: формирование и свойства наночастиц и наноструктур / А. Н. Грузинцев [и др.], 2010. - 397 с. - Текст : непосредственный.Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.] ; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой, 2010. - 531 с.Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.] ; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с.
Катализ и нефтехимия / Национальная академия наук Украины. - Журнал выходит с 19г.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 42, 2007. - 127 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 41, 2006. - 139 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 44, 2009. - 118 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 45, 2010. - 144 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. / Нац. АН Украины. Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. Вып. 46, 2011. - 141 с. - Текст : непосредственный.Карбид кремния: технология, свойства, применение / О. А. Агеева [и др.] ; под общ. ред. А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой, 2010. - 531 с.Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.] ; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с.
Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ерохин Ю.Н. Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Ю. Н. Ерохин, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.И. Дефекты кристаллической решетки GaP и их влияние на свойства диодных структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Соломонов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев К.Х. Диффузия примесей олова,серебра и железа в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Х. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Сафронов Н.В. Быстрый термический отжиг монокристаллов кремния,легированных ионами Ш-V- групп (As ,In ,и As /In ,P /In ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Сафронов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алдабергенова С.Б. Фотоиндуцированная и термостимулированная деградация аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Б. Алдабергенова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Турсунов У.С. Природа электрической активности примесей редкоземельных металлов в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / У. С. Турсунов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дричко И.Л. Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Дричко, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев М.П. Низкотемпературная электронная кинетика и переход металл-изолятор в 6Н-Si:N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. П. Тимофеев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Мельничук С.В. Локализованные состояния в электронном и колебательном спектрах полупроводников А В ,легированных 3d-элементами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Мельничук, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Рахимбаев Д. Экспериментальное исследование профиля распределения концентрации кадмия и ртути в твердотельных диффузионных зонах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Д. Рахимбаев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кока А.П. Разработка и создание автоматизированной системы для исследования полупроводниковых материалов и структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / А. П. Кока, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДобрынин А.В. Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.06 / А. В. Добрынин, 2001. - 34 с. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Vol. 573-574 : Rapid thermal processing and beyond: applications in semiconductor processing : select. papers from RTP specialists all over the world, Dornstadt, Germany / ed.: W. Lerch, J. Niess, 2008. - XVI, 432 p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 145-146 : Ultra clean processing of semiconductor surfaces IX : 9th Intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS) held in Bruges, Belgium, Sept. 22-24, 2008 / International symposium on ultra clean processind of semiconductor surfaces (UCPSS) (9th; 2008; Bruges), 2009. - XVI, 400 p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 131-133 : Gettering and defect engineering in semiconductor technology XII-GADEST 2007 : proc. of the 12th Intern. autumn meet. EMFCSC, Erice, Italy, Oct. 14-19, 2007 / International autumn meeting "Gettering and defect engineering in semiconductor technology-GADEST 2007" (12th; 2007; Erice), 2008. - XV, 642 p. - Текст : непосредственный.Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. В. Беспалов, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Моделирование и исследование технологии получения мультикристаллического кремния в индукционной печи с холодным тиглем : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.09.10 / В. В. Кичигин, 2011. - 18 с. - Текст : непосредственный.Александров С.Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2012. - 230 с. - Текст : непосредственный.Pearton S.J. Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics / S. J. Pearton, F. Ren, C. R. Abernathy, 2006 r=on-line.Claeys C. Extended defects in germanium : fundamental and technological aspects / C. Claeys, E. Simoen, 2009 r=on-line.Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Под ред. К.А. Джексона, В. Шретера; Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Т. 2 : Технологические процессы, 2011. - 908 с. - Текст : непосредственный.Ultra clean processing of semiconductor surfaces X : the 10th intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS 2010), was held in Oostende, Belgium, on Sept. 20-22, 2010 / International symposium on ultra clean processing of semiconductor surfaces (10; 2010; Oostende), 2012 r=on-line.Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.] ; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с.IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. - Журнал выходит с 1988г. r=on-line. - Текст : электронный.Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников / В. Ф. Дорфман, 1974. - 190 с. - Текст : непосредственный.Мильвидский М.Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия) / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров, 1974. - 391 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве : учеб. пособие / О. С. Моряков, 1974. - 141 с. - Текст : непосредственный.Колесников Н.Н. Физико-химические и технологические основы получения кристаллов халькогенидов металлов, содержащих летучие компоненты : автореф. дис. .. д-ра техн. наук : 05.27.06 / Н. Н. Колесников, 2017. - 50 с.Thermal Sensors. Principles and Applications for Semiconductor Industries / ed. Chandra Mohan Jha, 2015 r=on-line.Баринов А.Д. Физика и технология неупорядоченных полупроводников : практикум для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и наноэлектроника" / А. Д. Баринов, В. А. Воронцов, Д. А. Зезин, 2018. - 92 с.Оксидные полупроводники в технологии тонкопленочных транзисторов : учебное пособие для обучающихся по техническим направлениям бакалавриата / Министерство образования и науки Российской Федерации, Петрозаводский государственный университет, 2017. - 20 с.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽