Приложение
для AndroidПолное описание
Физика и техника полупроводников/ Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Санкт-Петербург : ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1967 - (Санкт-Петербург). - Выходит ежемесячно. - ISSN 0015-3222. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ
47.33
УДК
621.382
ссылка
ОбложкаЗаписей номеров в Каталоге: 703
К 90-летию академика Анатолия Петровича Александрова : сборник статей / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 1993. - 32 c. - Текст : непосредственный.Журнал технической физики / Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1931г. - Текст : непосредственный.Оптика и спектроскопия / Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. - Журнал выходит с 1956г. - Текст : непосредственный.Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1975г. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Физика твердого тела / Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. - Журнал выходит с 1959.г. - Текст : непосредственный.Лодыгин А.Н. Исследование ИК преобразователя изображений на основе кремния, легированного платиной / А. Н. Лодыгин, Л. Г. Парицкий, З. Хайдаров, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики : сборник трудов российской конференции, 21-23 ноября 2016 года, Санкт-Петербург / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2016. - 205 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики : сборник трудов российской конференции, 20-22 ноября 2017 года, Санкт-Петербург / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2017. - 204 с. - Текст : непосредственный.Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2018 : научная программа и тезисы докладов : 1-5 марта 2018 года, С.-Петербург - Зеленогорск / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2018. - 36 с. - Текст : непосредственный.Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2018 : научные сообщения молодых ученых : 1-5 марта 2018 года, С.-Петербург - Зеленогорск / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2018. - 55 с. - Текст : непосредственный.Бахарев Н.Н. Быстрые частицы в сферическом токамаке "Глобус-М" / Н. Н. Бахарев, 2017. - 102 с. - Текст : непосредственный.Физтех и советский атомный проект / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2018. - 660 с. - Текст : непосредственный.Тупицын И.И. Применение теории групп в физике твердого тела : для обучающихся по направлению Физика : учебно-методическое пособие / И. И. Тупицын, В. П. Кочерешко, 2018. - 129 с.Аморфные и микрокристаллические полупроводники : сборник трудов Международной конференции, 19-21 ноября 2018 года, Санкт-Петербург / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2018. - 303 с. - Текст : непосредственный.Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2019, С.-Петербург - Зеленогорск, 28 февраля - 4 марта 2019 года : научная программа и тезисы докладов / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2019. - 47 с. - Текст : непосредственный.Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2019, С.-Петербург - Зеленогорск, 28 февраля - 4 марта 2019 года : научные сообщения молодых ученых / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2019. - 59 с. - Текст : непосредственный.Степанов А.В. Основы практической прочности кристаллов / А. В. Степанов ; [ответственный редактор академик Г. В. Курдюмов], 1974. - 132 с. - Текст : непосредственный.Физика - наукам о жизни : третья международная конференция со школой молодых ученых, 14-18 октября 2019 : тезисы докладов / составители и технические редакторы: Е. А. Ефремова [и др.], 2019. - 214 с. - Текст : непосредственный.ФизикА.СПб : тезисы докладов международной конференции [по физике и астрономии], 22-24 октября 2019 года, [Санкт-Петербург] / Организатор ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2019. - 575 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПичугин А.Е. Пьезоэлектронные импульсные устройства для управления положением оптических элементов в пространстве : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. Е. Пичугин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зейн А.М. Исследование функции распределения вольт-амперных и гаусс-амперных характеристик горячих электронов при междолинном переносе в Ga1-x Alx As в сильных Е J.Н полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. М. Зейн, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Киракозова Л.А. Особенности электронных кинетических характеристик в мышьяке и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма при одноосном сжатии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.09 / Л. А. Киракозова, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Джабер Абдульхафиз Мохамед М.Нелинейная вольтамперная характеристика (ВАХ) и относительное изменение пробивного поля(примесного)в магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / М. Джабер Пбдульхафиз Мохамед, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучернюк П.В. Разработка адаптивных физико-топологических моделей биполярных транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Геворкян С.Ш. Оптически управляемые СВЧ элементы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.12.13;05.27.01 / С. Ш. Геворкян, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыФизика и техника полупроводников / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1994г. т. 28 № 6.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1994г. т. 28 № 10.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1994г. т. 28 № 11.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1994г. т. 28 № 7.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1994г. т. 28 № 8.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1994г. т. 28 № 12.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 1.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 3.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 2.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 4.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 5/6. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 5.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 7.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 8.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 9.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 10.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 11.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1995г. т. 29 № 12.Физика и техника полупроводников. - Журнал, 1996г. т. 30 № 1.
Показать все результаты