Приложение
для AndroidПолное описание
Schutt, R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern : Diss. / R.Schutt. - Hannover : [s. n.], 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.:120-122
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.33(043) | |
| 45.37.31 | 621.314.26(043) |
Рубрики:
Транзисторы биполярные
Преобразователи частоты
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.МИМ управление преобразователями постоянного напряжения по принципу ведущий-ведомый / ЦНТИ Информсвязь. - 9 9 с. - Текст : непосредственный.Соответствующие приборы облегчают создание конструкции низко-мощных преобразователей постоянного тока / ЦНТИ Информсвязь. - 19 с. - Текст : непосредственный.Улучшение характеристик системы за счет точного проектирования преобразователя / ЦНТИ Информсвязь. - 33 с. - Текст : непосредственный.Тиристорные блоки с аналоговым входом типа 461-464 фирмы "Eurotherm" : Инструкция по установке и эксплуатации / ВЦП. - 17 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Тирект Ц - однофазный тиристовый преобразователь типа УГГВ / ВЦП. - 43 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРуководство по эксплуатации преобразователя частоты REFU314 для приводов с высоким числом оборотов и мощностью 15-44 квА / ВЦП. - 65 c. - Текст : непосредственный.Руководство по эксплуатации преобразователей частоты Refu 314 для приводов с высоким числом оборотов и мощностью 15-44 КВА / ВЦП. - 67 c. - Текст : непосредственный.AR-181FV. Входной частотно-модулирующий усилитель-преобразователь частоты в напряжение : Инструкции. Руководство по эксплуатации / ВЦП. - 37 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь частоты EDU 210/8 / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Руководство по эксплуатации преобразователя частоты типа "KEB Combi EPT" / ВЦП. - 57 c. - Текст : непосредственный.Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - 7 c. - Текст : непосредственный.Wijnen P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. / P.J. van Wijnen, 1992. - V,265 p. p. - Текст : непосредственный.Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern : Diss. / R.Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный.Pan Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon : Diss. / Y.Pan, 1992. - VIII,139 p. p. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Zygmunt H. Nieliniowosci i specyfika przeksztaltnikow pradu stalego i bezposrednich przemiennikow czestotliwosci oraz ich sterowania na tle doswiadczen z wdrazania wynikow prac badawczych do praktyk przemyslowej / H.Zygmunt, 1993. - 133 s. - Текст : непосредственный.Мелешин В.И. Регулируемые преобразователи напряжения и частоты : Учеб. пособие / В.И.Мелешин, 1995. - 41 c. - Текст : непосредственный.Szynka D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie : Diss. / D.Szynka, 1995. - 153 S. - Текст : непосредственный.Сандлер А.С. электропривод с полупроводниковым управлением. Преобразователи частоты для управления асинхронными двигателями / А.С.Сандлер,Р.С.Сарбатов;Под ред. М.Г.Чиликина, 1966. - 144 с. - Текст : непосредственный.Преобразователи частоты на тиристорах для управления высокоскоростными двигателями / А.С.Сандлер,Г.К.Аввакумова,А.В.Кудрявцев,А.А.Никольский, 1970. - 81 с. - Текст : непосредственный.Leistungs-Halbleiter : Leistungs-Module IGBT 2.Generation, 1995. - 341 S. - Текст : непосредственный.Техника высоких напряжений и преобразователи частоты : Сб.ст. / Под ред.М.М.Акодиса, 1970. - 182 с. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Грабовецкий, Г. В. Непосредственные преобразователи частоты с естественной коммутацией для электромеханических систем : Учеб. пособие. Ч. 1, 1997. - 60 с. - Текст : непосредственный.Ямпурин Н.П. Биполярные транзисторы (функционирование, схемы, применение) : Учеб.пособие / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, А. Е. Вязовов, 1998. - 82 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКучернюк П.В. Разработка адаптивных физико-топологических моделей биполярных транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Куршева Е.Н. Численное моделирование структур мощных высоковольтных биполярных и ДМОП транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Е. Н. Куршева, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Суманеев Г.Э. Исследование комплекса тиристорных преобразователей частоты с перестраиваемой структурой : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.09.12 / Г. Э. Суманеев, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Wijnen P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. / P.J. van Wijnen, 1992. - V,265 p. p. - Текст : непосредственный.Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern : Diss. / R.Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный.Pan Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon : Diss. / Y.Pan, 1992. - VIII,139 p. p. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Szynka D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie : Diss. / D.Szynka, 1995. - 153 S. - Текст : непосредственный.Langer J.G. Vergleich von Gleichstromumrichtern mit hart und weich schaltenden Ventilen : Diss. / J.G.Langer, 1991. - 195 S. - Текст : непосредственный.Sipila M. Modeling and measurement methods for high speed bipolar transistors : Diss. / M.Sipil@:a, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Vahrmann R. Finite-Elemente-Verfahren zur dreidimensionalen Analyse von bipolaren Transistoren auf der Basis von Netzwerken : Diss. / R.Vahrmann, 1990. - VIII,135 S. S. - Текст : непосредственный.Roth-Stielow J. Beitrage zu Pulsumrichtersystemen grosser Leistung mit nahezu sinusformigen Ausgangsstromen hoher Frequenz : Diss. / J.Roth-Stielow, 1991. - 182 S. - Текст : непосредственный.Мухаматшин И.А. Двухзвенный преобразователь частоты с повышенными энергетическими характеристиками для электроприводов и систем электроснабжения : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.09.12 / И.А. Мухаматшин, 2004. - 16 с. - Текст : непосредственный.Коровин В.В. Моделирование регулируемых преобразователей частоты и разработка эффективных алгоритмов управления : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.09.12 / В.В. Коровин, 2005. - 17 с. - Текст : непосредственный.Корюков К.Н. Непосредственный преобразователь частоты с прогнозирующим управлением : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.09.12 / К. Н. Корюков, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Исследование и разработка преобразователя частоты матричного типа для электроприводов переменного тока : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.09.12 / Н. В. Кокорин, 2010. - 19 с. - Текст : непосредственный.Иванчин, Иван Иванович. Разработка и исследование высокоэффективных алгоритмов управления многоуровневыми преобразователями частоты : специальность 05.09.12 - Cиловая электроника : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Иванчин Иван Иванович, 2022. - 20 с. - Текст : непосредственный.Каземирова, Юлия Константиновна. Разработка и исследование алгоритмов управления высоковольтными каскадными преобразователями : специальность 2.4.2 - Электротехнические комплексы и системы : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Каземирова Юлия Константиновна, 2023. - 20 с. - Текст : непосредственный.Билинский, Кирилл Владимирович. Разработка преобразователей частоты КВЧ диапазона : 2.2.13 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Билинский Кирилл Владимирович, 2024. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽