Приложение
для AndroidПолное описание
Шувалов, Д. С. Математическое моделирование асимметричных реверсивно-включаемых динисторов : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.18 / Д. С. Шувалов. - Саранск : [б. и.], 2003. - 22 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 20-22.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382-047.58(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДиалло Тьерно Ибрагим.Моделирование физических и физико-химических процессов,происходящих при изготовлении и деградации изделий из поликристаллического карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Диалло Тьерно Ибрагим, 1993. - 13 с. - Текст : непосредственный.Леонов А.И. Моделирование полупроводниковых приборов в трехмерной постановке : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-техн.наук / А. И. Леонов, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением и приборов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / С. Г. Новиков, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Петров В.Н. Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации параметров схемотехнических моделей полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.17 / В. Н. Петров, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Емельянов В.В. Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / В. В. Емельянов, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Новоселов А.Ю. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольтамперными характеристиками N-типа и приборов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. Ю. Новоселов, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мантуров А.О. Математическое моделирование нелинейных эффектов в мультистабильных полупроводниковых системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :05.13.18 / А. О. Мантуров, 2001. - 19 c. - Текст : непосредственный.Гурин А.В. Адаптивные расчетные сетки для моделирования электрофизических процессов в полупроводниковых структурах : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.18 / А. В. Гурин, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Шувалов Д.С. Математическое моделирование асимметричных реверсивно-включаемых динисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.18 / Д. С. Шувалов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Grahn K.J. Two-dimensional numerical modeling of advanced semiconductor devices from the physical point of view : Diss. / K.J.Grahn, 1993. - 78 p. - Текст : непосредственный.Andersson M. Modeling of high-speed and high-power semiconductor devices : Diss. / M.Andersson, 1994. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Thoma R. Entwicklung eines hydrodynamischen Gleichungssystems zur Beschreibung von Halbleiterbauelementen : Diss. / R.Thoma, 1991. - 77 S. - Текст : непосредственный.Синицын А.В. Система Власова-Максвелла в ограниченных областях и ее приложения в моделировании процессов магнитной изоляции : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.01.02 / А.В. Синицын, 2004. - 32 с. - Текст : непосредственный.Семисалов Б.В. Математическое моделирование в задачах переноса заряда в полупроводниковых кремниевых устройствах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.13.18 / Б. В. Семисалов, 2011. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽