Приложение
для AndroidПолное описание
Адамян, А. Г. Диагностические методы оценки надежности полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Г. Адамян. - Воронеж : [б. и.], 2003. - 16 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 14-16(14 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.019.3(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАндреев В.В. Исследование зарядовой нестабильности МДП-систем в сильных электрических полях и разработка методов контроля : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / В. В. Андреев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Номоконова Н.Н. Методы анализа и оценки индивидуальных свойств интегральных электронных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :05.11.16 / Н. Н. Номоконова, 2002. - 34 с. - Текст : непосредственный.Адамян А.Г. Диагностические методы оценки надежности полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Г. Адамян, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Scharf S. Degradation von MOS-Bauelementen durch optische Generation von Ladungstragern : Diss. / S.Scharf, 1995. - 125 p. - Текст : непосредственный.Прогнозирование деградации электрических параметров полупроводниковых изделий : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / А. В. Арсентьев, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽