Приложение
для AndroidПолное описание
Супрунова, Е. Ф. Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Е. Ф. Супрунова. - Таганрог : [б. и.], 2002. - 19 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 16-18(24 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.2.018.756(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЮневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карфул Ризек.Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Карфул Ризек, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шур М.С. Исследование электрических доменов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.02 / М. С. Шур, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Тарнавский С.П. Перезарядка поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. П. Тарнавский, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Подчищаева О.В. Перестройка частоты колебаний в диодах Ганна мм-диапазона из фосфида индия в условиях оптической накачки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. В. Подчищаева, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карташова О.А. Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / О. А. Карташова, 1994. - 15 с.950405. - Текст : непосредственный.Малинин Ю.Г. Механизм токопрохождения и фотоЭДС диодов Шоттки на основе арсенида индия и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ю. Г. Малинин, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Милюткин Е.А. Электрофизические свойства контактов редкоземельный металл-кремний, силицид редкоземельного металла-кремний и поверхностно-барьерных диодов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. А. Милюткин, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Бабаян А.В. Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10:01.04.03 / А. В. Бабаян, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Чепуров С.В. Сверхбыстродействующие нелинейные элементы на барьере Шоттки в системах синтеза и измерения частот СММ, ИК, видимого диапазонов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / С. В. Чепуров, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мельников Г.Д. Влияние структурного совершенства эпитаксиальных слоев GaAs на параметры барьеров Шоттки : Дис. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10 / Г. Д. Мельников, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Фетисова В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А В : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / В. М. Фетисова, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Супрунова Е.Ф. Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Е. Ф. Супрунова, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03 / К. А. Разумихин, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Х. М. Салихов, 2010. - 35 с. - Текст : непосредственный.Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образование доменов в диодах Ганна : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03 / В. Ю. Кваско, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Федин И.В. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : специальность 01.04.04 - "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / И. В. Федин, 2019. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽