• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Алтухов, Виктор Иванович. Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) = Models calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) : к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год: монография / В. И. Алтухов, А. В. Санкин ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Северо-Кавказский федеральный университет. - Пятигорск ; Москва : СКФУ, 2021. - 659 с. : ил. - Парал. тит. л. англ. - Библиогр.: с. 526-582. - 500 экз. - ISBN 978-5-6046722-4-2. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.09.29621.315.592
    47.13.11621.315.592.9
    47.33621.382.026

    Рубрики:
    Полупроводники
    Гетероструктуры
    Полупроводниковые приборы силовые

    Кл.слова (ненормированные): ДИОДЫ -- КИНЕТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- КРИСТАЛЛЫ -- КРИСТАЛЛЫ С ДЕФЕКТАМИ -- КРИСТАЛЛЫ С ФАЗОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ -- НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- ПРОИЗВОДСТВО -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ -- СИММЕТРИЯ -- СТРУКТУРНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ -- ШИРОКОЗОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
    Аннотация: С единых позиций на основе квантовых формул Кубо-Гринвуда развиты модели и рассчитано поведение особенностей тепловых, электрических свойств кристаллов карбида кремния (SiC), его твердых растворов (SiC-AIN), реальных кристаллов, диэлектриков (подложки), сегнетоэлектриков, а также поведение - характеристики гетероструктур, диодов и светодиодов силовой электроники. В приложениях приведены значения использованных универсальных физических постоянных; показана структура монокристаллов SiC и его политипов; как пример приведен ряд программ расчета различных свойств, характеристик, рассмотренных в работе материалов, диодов и светодиодов. В работе выявлены новые квантовые эффекты теплового, электрического сопротивления, рассмотренных в работе материалов-систем. Описана запатентованная установка для выращивания совершенных монокристаллов SiC и SiC-AIN. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки. Рассчитаны ВАХ диодов и положения полос спектра светодиодов на основе твердых растворов карбида кремния.
    Доп. точки доступа:
    Санкин, Александр Викторович
    Северо-Кавказский федеральный университет (Ставрополь)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-21/72222)

    Шифр в сводном ЭК: 6a18f3c3b9c79d9b1ff1d33fdc9cdcc0



    Заказ фрагмента документа ₽