Приложение
для AndroidПолное описание
Каблукова, Н. С. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в монокристаллических пленках системы висмут-сурьма / Н. С. Каблукова. - 2015. - 22 с. - Библиогр.: с. 19-22 (20 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.216.2(043) |
Кл.слова (ненормированные): ПОДЛОЖКИ -- ПОЛУМЕТАЛЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар15-1748)
Шифр в сводном ЭК: d19d64dd37aaef6ac065e91033cd2aff
Каблукова Н.С. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в монокристаллических пленках системы висмут-сурьма / Н. С. Каблукова, 2015. - 22 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Каблукова Н.С. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в монокристаллических пленках системы висмут-сурьма / Н. С. Каблукова, 2015. - 22 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАбрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Каблукова Н.С. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в монокристаллических пленках системы висмут-сурьма / Н. С. Каблукова, 2015. - 22 с. - Текст : непосредственный.Тамбасов И.А. Тонкие In2O3, Fe - In2O3 и Fe3O4 - ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства / И. А. Тамбасов, 2014. - 23 с. - Текст : непосредственный.Мелешко Н.В. Метастабильные состояния, возникающие в пленках а-Si:H) под влиянием внешних воздействий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. В. Мелешко, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Курило О.В. Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбида кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Курило, 2005. - 16 c. - Текст : непосредственный.Комолов А.С. Электронные свойства полупроводниковых структур, содержащих органические пленки политиофена и корбатина : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-миат.наук / А. С. Комолов, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.Метлицкая А.В. Моделирование процессов самоорганизации наноструктур при ионном распылении поверхности полупроводников / А. В. Метлицкая, 2014. - 30 с. - Текст : непосредственный.Логинов Ю.Ю. Формирование структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводников А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. Ю. Логинов, 1996. - 26 с. - Текст : непосредственный.Нуждин М.Ю. Влияние тепловых полей на механизмы роста и фазовых превращений пленок теллурида и сульфотеллуридов кадмия : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / М. Ю. Нуждин, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Малков А.В. Реальная структура тонкопленочных кристаллов селена : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. В. Малков, 2001. - 24 с. - Текст : непосредственный.Стародубцев А.Н. Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Стародубцев, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный.Фещенко И.С. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (AS2S3) x .(As2Se3)1-x, легированных металлами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. С. Фещенко, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный.Jiang X. Untersuchung mechanischer Eigenschaften von a0C:H- und a-Si:H-Schichten mittels Brillouin-Streuung und Nanoindenter / X. Jiang, 1990. - 92 S. - Текст : непосредственный.Моисеенко Е.Т. Структурные фазовые превращения и атомное упорядочение при твердофазных реакциях в тонкопленочных системах Cu/Au и Pd/Fe / Е. Т. Моисеенко, 2014. - 21 с. - Текст : непосредственный.Алтунин Р.Р. Фазообразование при твердофазных реакциях в тонких пленках на основе Al/Au и Fe/Si / Р. Р. Алтунин, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный.Барри Умар.Исследование роста эпитаксиальных слоев материалов и их некоторых электрофизических свойств : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Барри Умар, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Зарецкая Е.П. Получение пленок твердых растворов CuIn Ga Se импульсным лазерным осаждением и исследование их физических свойств : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Зарецкая, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.Болгова Т.Г. Получение и свойства тонких пленок сульфида кадмия, легированных щелочными металлами и галогенами (Cl, Br) : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Г. Болгова, 2009. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽