Приложение
для AndroidПолное описание
Карташова, А. П. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала / А. П. Карташова. - 2010. - 19 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-19 . - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.52(043) |
Аннотация: Выяснение взаимосвязи особенностей излучательной и безызлучательной рекомбинации светоизлучающих квантоворазмерных структур InGaN/GaN с характером организации наноматериала, причин падения значений внешней квантовой эффективности этих структур при плотности тока больше 10 А/см2. Возможность получения излучательной рекомбинации в зеленой области спектра на основе гетероструктур GaAsN/GaN.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-22558)
Шифр в сводном ЭК: e176f32e2b379f5cc5a879f0f8431701
Карташова А.П. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала / А. П. Карташова, 2010. - 19 с. - Текст : непосредственный.Карташова А.П. Исследование потока метеорного вещества через околоземное пространство по данным телевизионных наблюдений : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.03.01 / А. П. Карташова, 2016. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineMid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineProgress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ukita H. Micromechanical photonics / H. Ukita, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Frontiers in surface nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSurface plasmon nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineМеркишин Г.В. Шумы и оптимизация параметров фотоприемников / Г. В. Меркишин, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гуревич С.Б. Проблемы информационной оптоэлектроники / С. Б. Гуревич, Б. С. Гуревич, К. М. Жумалиев, 2008. - 209 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыВащенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.Хайрулина А.С. Эффективность белого свечения гетероструктур на основе InGaN с люминофором : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Хайрулина, 2008. - 25 с. - Текст : непосредственный.Аливов Я.И. Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Я. И. Аливов, 2005. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ефремов А.А. Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ефремов, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Мышонков А.Б. Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током / А. Б. Мышонков, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Вилисов А.А. Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение : специальность 01.04.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Вилисов, 2001. - 37 с. - Текст : непосредственный.Карташова А.П. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала / А. П. Карташова, 2010. - 19 с. - Текст : непосредственный.Тарасов С.А. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A\ВIII\в B\ВV\в для селективных фотоприемников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. А. Тарасов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гусейнов А.А. Создание и исследование светодиодов на основе изопериодных гетероструктур GaInAsSb-GaSb : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Гусейнов, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Алиев Р.Ю. Фотодиоды на основе InSe с термоэлектрическим охладителем : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Р. Ю. Алиев, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Липницкая С.Н. Исследование эффективности оптических систем светодиодных модулей и передача лазерного излучения в оптоволокно / С. Н. Липницкая, 2017. - 20 с. - Текст : непосредственный.Евсеенков А.С. Процессы фотостимуляции и электротермотренировки при обеспечении мощностных параметров светоизлучающих и транзисторных гетероструктур на основе твердых растворов (Al, Ga, In)N : 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / А. С. Евсеенков, 2019. - 18 с. - Текст : непосредственный.Прохоров В.В. Источники излучения на основе суперлюминесцентных диодов с экстремальными рабочими характеристками : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.03 / В. В. Прохоров, 2007. - 26 с. - Текст : непосредственный.Куницына Е.В. Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов GaInAsSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. В. Куницына, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Бида О.Б. Исследование полупроводниковых излучающих диодов и разработка новых оптико-электронных приборов с их применением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.07 / О. Б. Бида, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽