Приложение
для AndroidПолное описание
Structure and properties of dislocations semiconductors 1989 : сборник научных трудов / Ed. S. G. Roberts. - Bristol ; New York : [s. n.], 1989. - XII, 470 p. 470 p. : ill. - (Conference series / IOP, ISSN 0305-2346 ; n104). - ISBN 0-85498-060-1. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце ст. Указ.:с.467-470
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.4(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Кристаллы -- Дислокации -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК -- ПОЛУПРОВОДНИК
Доп. точки доступа:
Roberts, S.G.\ed.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/6037/104)
Шифр в сводном ЭК: 81dabfa2c1ab54e3313019152a47df7c
Structure and properties of dislocations semiconductors 1989 : сборник научных трудов / Ed. S. G. Roberts, 1989. - XII, 470 p. 470 p. - Текст : непосредственный.Leyk T. Numerical solving of a free boundary phase field model using Krylov subspace method / T.Leyk,S.G.Roberts, 1995. - 10 p. - Текст : непосредственный.
Advanced neutron sources 1988 : материалы временных коллективов / Ed. D. K. Hyer, 1989. - 890 p. - Текст : непосредственный.Materials for non-linear and electro-optics 1989 : материалы временных коллективов / Ed. M. H. Lyons, 1989. - VIII, 252 p. 252 p. - Текст : непосредственный.Structure and properties of dislocations semiconductors 1989 : сборник научных трудов / Ed. S. G. Roberts, 1989. - XII, 470 p. 470 p. - Текст : непосредственный.Electrostatics 1995 : Proc.of the 9th intern.conf.,York,2-5 Apr.1995 / Ed. S. Cunningham, 1995. - X,401 p. p. - Текст : непосредственный.Nonlinear problems in accelerator physics : Proc.of the inter.workshop on nonlinear problems in accelerator physics,Berlin,30 March-2 Apr.1992 / Ed. M. Berz, 1993. - VIII,265 p. p. - Текст : непосредственный.
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыShallow impurities in semiconductors : материалы временных коллективов / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Beam injection assessment of defects in semiconductors : материалы временных коллективов, 1989. - XIV,Pag.var. - Текст : непосредственный.Structure and properties of dislocations semiconductors 1989 : сборник научных трудов / Ed. S. G. Roberts, 1989. - XII, 470 p. 470 p. - Текст : непосредственный.
Polycrystalline semiconductors : grain boundaries and interfaces:Proc.of the intern.symp.,Malente Aug.29-Sept.2,1988 / Ed. H. J. Moller, 1989. - XI,394 p. p. - Текст : непосредственный.Defect recognition in semiconductors before and after processing : Proc.ofthe 4th intern.conf.,18-22 March 1991,Wilmslow / Ed.: M. R. Brosel, D. J. Stirland, 1992. - 310 p. - Текст : непосредственный.Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer rev. papers from the 14th intern. conf. on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (DRIP-14), Sept. 25-29, 2011, Miyazaki, Jap. / International conference on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (14; 2011; Miyazaki), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Defects and diffusion in semiconductors XIV : vol. 14 / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный.Point and extended defects in semiconductors : Proc.of the NATO advaced research second workshop on Point, Extended and surface defects in semiconductors, held Nov.2-7, 1988, Erice / Ed. G. Benedek, 1989. - X,287 p. p. - Текст : непосредственный.Свойства и структура дислокаций в полупроводниках : V Международная конференцияСб. докл., Москва, СССР, 17-22 марта 1986 г. / Институт физики твердого тела (Москва), 1989. - 216 с. - Текст : непосредственный.Early stages of oxygen precipitation in silicon : Proc.of the NATO Advanced research workshop on early stages of oxygen precipitation in silicon,Exeter,U.K.,March 26-29,1996 / Ed. R. Jones, 1996. - XVIII,530 p. p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽