Приложение
для AndroidПолное описание
Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. - М. : Наука, 1973. - 471 с. : ил. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Загл. обл. : Арсенид галлия. Получение и свойства. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 431-471. - 3500 экз. - Текст : непосредственный.
Авт. указ. на обороте тит. л.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322 | |
| 621.315.592 |
Рубрики:
Галлий, арсениды
Доп. точки доступа:
Бурдуков, Ю.М.
Гашимзаде, Ф.М.
Гольдберг, Ю.А.
Гореленок, А.Т.
Гуткин, А.А.
Кесаманлы, Ф.П.\ред.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д4/16922)
Шифр в сводном ЭК: 587626ae7fea2a2e043cb09c331f2194
Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Гольдберг Ю.А. Заметки о плавке меди в Америке : монография / Ю. А. Гольдберг, 1908. - 54 с. - Текст : непосредственный.Гашимзаде Ф.М. Резонансное экситонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике / Ф. М. Гашимзаде, Р. С. Надирзаде, Т. Г. Исмаилов, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный.Агапьев Б.Д. Обработка экспериментальных данных / Б. Д. Агапьев, Б. Д. Агапьев, В. Н. Белов, Ф. П. Кесаманлы, 1999. - 83 с. - Текст : непосредственный.
Взаимодействие центра MnGaBGaA3 с электромагнитным и акустическим излучением / Н.С.Аверкиев,А.А.Гуткин,О.Г.Максимова и др., 1991. - 49 с. - Текст : непосредственный.Физика : толковый словарь школьника и студента: учеб. пособие / К. К. Гомоюнов [и др.]; под ред. К. К. Гомоюнова, В. Н. Козлова, 2010. - 485 с. - Текст : непосредственный.Гольдберг Ю.А. Поверхностно-барьерные структуры металл-полупроводник А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. А. Гольдберг, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Кесаманлы Ф.П. Очерки о кафедре экспериментальной физики, ее руководителях и преподавателях / Ф. П. Кесаманлы, 2010. - 306 с. - Текст : непосредственный.Физика. Толковый словарь школьника и студента : Учеб. пособие для сред. и высш. шк. / К. К. Гомоюнов [и др.], 2007. - 485 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.
Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн, 1973. - 399 с. - Текст : непосредственный.Гороховатский Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков / Ю.А.Гороховатский,Г.А.Бордовский, 1991. - 245 c. - Текст : непосредственный.Гуревич, Александр Григорьевич. Ферриты на сверхвысоких частотах / А. Г. Гуревич, 1960. - 407 с. - Текст : непосредственный.Цидильковский, Исаак Михайлович. Термомагнитные явления в полупроводниках / И. М. Цидильковский, 1960. - 396 с. - Текст : непосредственный.Болтакс, Борис Иосифович. Диффузия в полупроводниках / Б. И. Болтакс, 1961. - 462 с. - Текст : непосредственный.Бурштейн, Анатолий Израилевич. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств / А. И. Бурштейн, 1962. - 135 с. - Текст : непосредственный.Берман, Лев Соломонович. Нелинейная полупроводниковая емкость / Л. С. Берман, 1963. - 85, [1] с. - Текст : непосредственный.Рывкин, Соломон Меерович. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М. Рывкин, 1963. - 494 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАрсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.
Kuball M. Effekte der Oberflache,der Dotierung und eines elektrischen Feldes auf die optischen und elektronischen Eigenschaften von GaAs : Diss. / M.Kuball, 1995. - 214 S. - Текст : непосредственный.Городниченко О.К. Высокотемпературные пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия / О.К.Городниченко, 1993. - 142 c. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Потапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания
или
Просмотр издания