• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Яскевич, Т. М. Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-Zn-S для твердотельных преобразователей изображений / Т. М. Яскевич. - 2013. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-22. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    29.15.39537.531.08(043)

    Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ -- РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар13-14828)

    Шифр в сводном ЭК: 2c445c922af01d53d8f99d2df4b215bd



    Заказ фрагмента документа ₽