Приложение
для AndroidПолное описание
Агаханян, Т. М. Основы транзисторной электроники / Т. М. Агаханян. - М. : Энергия, 1974. - 256 с. : ил. - Библиогр.: с. 251-254 (89 назв.). - 25000 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.3 |
Рубрики:
Транзисторы
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д4/20410)
Шифр в сводном ЭК: cdf88da35f2a3ed720cf93c08bb51d69
Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники, 1974. - 256 с. - Текст : непосредственный.Агаханян Т.М. Электронные устройства в медицинских приборах : учеб. пособие / Т.М. Агаханян, В.Г. Никитаев, 2005. - 510 с. - Текст : непосредственный.Агаханян Т.М. Проектирование аналоговых устройств / Т.М.Агаханян, 1990. - 116 c. - Текст : непосредственный.Электронные средства предварительной обработки информации : Сб. науч. тр. / Моск.инж.-физ.ин-т, 1990. - 107 с. - Текст : непосредственный.
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыFuturetech : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. 2(1986) : Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough, 1986. - 16 p. - Текст : непосредственный.Greenfield J.D. Practical transistors and linear integrated circuits / J. D. Greenfield, 1988. - XIV, 686 p. 686 p. - Текст : непосредственный.Шидловский А.К. Транзисторные преобразователи с улучшенной электромагнитной совместимостью / А. К. Шидловский, А. К. Шидловский, А. В. Козлов, Н. С. Комаров, Г. А. Москаленко, 1993. - 271 c. - Текст : непосредственный.Игумнов Д.В. Цифровые транзисторные элементы / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина, 1998. - 63 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 1 : 2SA12.. 2SA1732, 1992. - 45 с. - Текст : непосредственный.Дьяконов В.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах, 1973. - 207, [1] с. - Текст : непосредственный.Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники, 1974. - 256 с. - Текст : непосредственный.
Appenzeller J. Quantentransistor im zweidimensionalen Elektronengas hoher Beweglichkeit : Diss. / J.Appenzeller, 1995. - 140 S. - Текст : непосредственный.Nieder J. Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren : Diss. / J.Nieder, 1992. - 168 S. - Текст : непосредственный.Транзисторы : учебное пособие / А. С. Мазнев [и др.], 2017. - 47 с. - Текст : непосредственный.Lundstrom M.S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation / M. S. Lundstrom, J. Guo, 2006. - VI, 217 p. - Текст : непосредственный.Кичаева Н.А. Малошумящие транзисторы и усилители / Н.А.Кичаева, 1994. - 43 c. - Текст : непосредственный.Ямпурин Н.П. Транзисторы (функционирование, схемы, применение) : Учеб.пособие / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, А. Е. Вязовов, 2001. - 114 с. - Текст : непосредственный.Transistors. 60 ed.,update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Ильченко Г.П. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+-n переходом / Г. П. Ильченко, 2013. - 159 с. - Текст : непосредственный.Сумецкий М.Ю. Резонансное туннелирование электронов через двух-и трехмерную наноструктуры / М.Ю.Сумецкий,М.Л.Фельштын, 1990. - 31 c. - Текст : непосредственный.Гринфилд Д. Транзисторы и линейные ИС : Руководство по анализу и расчету / Д.Гринфилд;Пер. с англ. Н.И.Кузнецова, 1992. - 556 с. - Текст : непосредственный.FinFETs and other multi-gate transistors / ed. J. Colinge, 2008 r=on-line
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный.Петухов В.М. Полупроводниковые приборы.Транзисторы.Дополнение первое / В. М. Петухов, 1994. - 230 c. - Текст : непосредственный.Николаенков Ю.К. Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Ю. К. Николаенков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко, 2010. - 407 с. - Текст : непосредственный.Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы / В. М. Петухов, 1995. - 288 c. - Текст : непосредственный.Аблин А.Н. Транзисторные и варакторные устройства. Анализ и синтез / А. Н. Аблин, Л. Я. Могилевская, Ю. Л. Хотунцев, 1995. - 160 c. - Текст : непосредственный.Корольков В.И. Гетеробиполярные транзисторы / В. И. Корольков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Мартынов Я.Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Я. Б. Мартынов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Futuretech : a probing look at strategic technologies that will significantly affect industry. 2(1986) : Bonus rep.:Ballistic transistors:computer/communications breakthrough, 1986. - 16 p. - Текст : непосредственный.Транзисторы в SMD-исполнении : справочник / сост. Ю. Ф. Авраменко. Т. 1 : HITACHI, NEC, PANASONIC, RENESAS, ROHM, SANYO, TOSHIBA, 2006. - 540 с. - Текст : непосредственный.Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Greenfield J.D. Practical transistors and linear integrated circuits / J. D. Greenfield, 1988. - XIV, 686 p. 686 p. - Текст : непосредственный.Триполитов С.В. Микросхемы, диоды, транзисторы / С. В. Триполитов, А. В. Ермилов, 1994. - 381 c. - Текст : непосредственный.Аксенов А.И. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, А. М. Юшин, 1993. - 222 с. - Текст : непосредственный.Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern / R. Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный.Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - XVII, 218 p. - Текст : непосредственный.Лабутин В.К. Мощные низкочастотные транзисторы / В. К. Лабутин, 1965. - 32 c. - Текст : непосредственный.Straub D. Modellierung von Dunnschichttransistoren mit polykristallinen Halbleitern / D. Straub, 1995. - 116 с. - Текст : непосредственный.Муратчаев С.А. Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / С. А. Муратчаев, 1994. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания
или
Просмотр издания
или
Просмотр издания