Полное описание
> Карпушко, Ф. В. Внутризонный электрооптический эффект в полупроводниках p-типа / Ф. В. Карпушко, В. Л. Малевич. - Минск : [б. и.], 1990. - 15 с. : ил. - ; N606. - 120 экз. - Текст : непосредственный. Библиогр.: с. 15 (12 назв.)
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:535(04)
Рубрики: Полупроводники -- Электрооптические свойства
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК
Доп. точки доступа: Малевич, В.Л.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/30769/606)>
Шифр в сводном ЭК: 852e51c788c04dff53b97bb95aaaebd5
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Карпушко Ф.В. Внутризонный электрооптический эффект в полупроводниках p-типа / Ф. В. Карпушко, В. Л. Малевич, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Грибковский В.П. Очерк научной деятельности лаборатории оптики полупроводников за 25 лет (1971-1996) / В. П. Грибковский, 1997. - 37 с. - Текст : непосредственный. Юлдшев Н.Х. Временная кинетика поляризованного вторичного излучения при резонансном импульсном возбуждении экситонов / Н. Х. Юлдшев, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гашимзаде Ф.М. Резонансное экситонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике / Ф. М. Гашимзаде, Р. С. Надирзаде, Т. Г. Исмаилов, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Алиева М.Х. Фотоэлектрические и оптические свойства TlJnSe2, TlJnS2, TlGaSe2, TlGaS2 и твердых растворов на их основе : Препринт / М. Х. Алиева, С. Х. Агаева, Т. И. Алиев, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. Оптические функции и константы селенида галлия / Т.Р.Мехтиев,А.М.Алиев,В.С.Рыпневский,В.П.Радионов, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный. Алиев М.И. Поглощение света в полупроводниках со сверхрешеткой в скрещенных электрическом и магнитном полях / М.И.Алиев,Г.Б.Ибрагимов, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный. Мищенко А.С. Роль флуктуаций валентности в фононном комбинационном рассеянии света в полупроводниках с переменной валентностью / А.С.Мищенко,М.Ю.Талантов, 1994. - 19 c. - Текст : непосредственный. Герасименко Н.Н. Пакет программ для оценок оптических и электрофизических параметров Cd Hg Te (0.19 х 0.4) / Н. Н. Герасименко, И. В. Грищенко, Л. Н. Сафронов, 1990. - 75 с. - Текст : непосредственный. Тагиев О.Б. Оптические и люминесцентные свойства монокристаллов Mn Go2 Se4 / О. Б. Тагиев, Э. З. Зейналов, З. А. Искендерзаде, 1991. - 26 с. - Текст : непосредственный. Пермогоров С.А. Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap II-VI semiconductor solid solutions / С.А.Пермогоров,А.Н.Резницкий, 1991. - 63 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽