Полное описание
> Петров, Ю. В. Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Петров. - СПб., 2008. - 15 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-15. - Текст : непосредственный. В надзаг.: С.-Петерб. гос. ун-т
ГРНТИ УДК 47.33.33 621.383.002(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар08-5076)>
Шифр в сводном ЭК: 6d039384e43ed375e453b9b910db1b4d
Особенности кинетики нейтронов исследовательских реакторов с тяжеловодным отражателем / А. Н. Ерыкалов, Л. М. Котова, В. В. Кузьминов, Ю. В. Петров, 1995. - 17 c. - Текст : непосредственный. Петров Ю.В. Система автоматизированного проектирования электронных устройств OrCAD 16.6 : практ. пособие. Ч. 1 : Редактор принципиальных схем OrCAD Capture, 2016. - 90 с. - Текст : непосредственный. Расчеты критических сборок ПИК-1. (Расчеты крит. сборок ПИК. Ч.2 / А. Н. Ерыкалов, Л. М. Котова, М. С. Онегин, Ю. В. Петров, 1998. - 41 с. - Текст : непосредственный. Петров Ю.В. Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Петров, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный. Алюминиевый ПИК с пониженным расходом высокообогащенного урана / Ю. В. Петров, А. Н. Ерыкалов, Л. М. Котова, 2002. - 56 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Физико-химические аспекты предельных состояний и структурных превращений в сплошных средах, материалах и технических системах / Российская академия наук, Санкт-Петербургский научный центр и др. Вып. 1 / под общ. ред. Ю. В. Петрова, 2017. - 229 с. - Текст : непосредственный. Физико-химические аспекты предельных состояний и структурных превращений в сплошных средах, материалах и технических системах / Российская академия наук, Санкт-Петербургский научный центр [и др.]. Вып. 2 / под общей редакцией Ю. В. Петрова, 2018. - 175 с. - Текст : непосредственный. Норель Б.К. Энергетические и временные характеристики предельного состояния горных пород / Б. К. Норель, Ю. В. Петров, Н. С. Селютина, 2018. - 132 с. - Текст : непосредственный. Петров Ю.В. Системы вертолета и двигателя. Гидравлическая система вертолета : тексты лекций / Ю. В. Петров, 2015. - 68 с. - Текст : непосредственный. Петров Ю.В. Расчет распределения потоков нейтронов, -квантов и их энерговыделения в тяжеловодном отражателе физ. модели реактора ПИК. Ч.1. Зона без пэлов и кассет / Ю. В. Петров, Е. А. Гарусов, Т. И. Смирнова, 2006. - 27 с. - Текст : непосредственный. Петров Ю.В. On a 14-MeV neutron source based on MCF for fusion materials research / Ю.В.Петров,Е.Г.Сахновский, 1995. - 14 p. - Текст : непосредственный. Петров Ю.В. Снижение концентрации урана в твэлах типа ПИК / Ю.В.Петров,Л.М.Котова, 2002. - 11 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный. Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line Mid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line Progress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Ukita H. Micromechanical photonics / H. Ukita, 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Frontiers in surface nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-line Surface plasmon nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-line Меркишин Г.В. Шумы и оптимизация параметров фотоприемников / Г. В. Меркишин, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный. Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный. Калимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный. Новиков С.Г. Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный. Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный. Гуревич С.Б. Проблемы информационной оптоэлектроники / С. Б. Гуревич, Б. С. Гуревич, К. М. Жумалиев, 2008. - 209 с. - Текст : непосредственный. Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Грицкевич О.В. Исследования процессов формирования изображений произвольной геометрической формы и размеров на криволинейных поверхностях вращения с использованием лазерного излучения : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / О. В. Грицкевич, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный. Трофим В.Г. Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. Г. Трофим, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный. Петров Ю.В. Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Петров, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный. Васильев В.И. Особенности эпитаксиального роста твердых растворов GaZnAsSb и AlGaAsSb из растворов-расплавов на основе сурьмы : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Васильев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Мустафаева Д.Г. Оптимизация технологии полупроводниковых пленочных преобразователей и повышение эффективности их производства : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Д. Г. Мустафаева, 2002. - 23 с. - Текст : непосредственный. Менделева Ю.А. Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. А. Менделева, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный. Стратейчук Д.М. Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS 1-xSex : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Стратейчук, 2008. - 24 с. - Текст : непосредственный. Сахарова Т.В. Формирование гетероструктур InAs Sb B1 /InSb методом жидкофазной эпитаксии для фотоприемных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Т. В. Сахарова, 1994. - 22 с. - Текст : непосредственный. Микаева С.А. Исследование и разработка технологии производства нового поколения люминесцентных ртутьсодержащих приборов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.11.14 / С. А. Микаева, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный. Красовицкий Д.М. Закономерности пиролиза аммиакатов трихлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN In Ga N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Красовицкий, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный. Яблочкина Г.И. Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Г. И. Яблочкина, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный. Лисицына Л.И. Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.02 / Л. И. Лисицына, 2000. - 36 с. - Текст : непосредственный. Армягова О.П. Исследование условий и разработка технологии получения эпитаксиальных структур антимонида индия для многоэлементных фотоприемников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / О. П. Армягова, 1996. - 21 с. - Текст : непосредственный. Лунина М.Л. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов А В, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / М. Л. Лунина, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный. Подщипков Д.Г. Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Д. Г. Подщипков, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный. Письменский М.В. Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. В. Письменский, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Якорев С.Н. Элементы технологии формирования реальных поверхностей и границ рахдела в серийном производстве оптоэлектронных приборов на основе GaAs-AlGaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / С. Н. Якорев, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный. Шкляев А.А. Поверхностные процессы при формировании плотных массивов и одиночных наноструктур германия и кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Шкляев, 2007. - 33 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽