• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Неустроев, Е. П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев. - Новосибирск, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.
    В надзаг. : АН РФ. Сиб. отд-ние. Объед. ин-т физики полупроводников. Библиогр.:с. 16-17

    ГРНТИ УДК
    47.13.11621.315.592.3(043)

    Кл.слова (ненормированные): НИИ экономики организации - НИИ электростекла
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР01-1508)



    Шифр в сводном ЭК: 68e95f348f2bc5a61bd59dded3d3a1bd



    Заказ фрагмента документа ₽