Приложение
для AndroidПолное описание
Бенюшис, Т. И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис. - Н. Новгород, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 14-17(29 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.57 | 621.384.3.002(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР97-035)
Шифр в сводном ЭК: 2ff91009da10cbbf13251e1a15d96c3d
Шахраманьян Н.А. Электронно-оптические визуализаторы инфракрасных изображений : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Н. А. Шахраманьян, 1998. - 40 с. - Текст : непосредственный.Schneider H. Quantum well infrared photodetectors / H. Schneider, H. C. Liu, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Михайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Денисов Ю.А. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. А. Денисов, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Шрайбер Г. Инфракрасные лучи в электронике / Г. Шрайбер, 2001. - 237 с. - Текст : непосредственный.Бондаренко Е.А. Разработка и исследование многофункциональных полупроводниковых оптоэлектронных приборов для ближней и средней ИК области спектра оптического излучения : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Е. А. Бондаренко, 1995. - 47 с. - Текст : непосредственный.Денисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений, 1946-2006 / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2008. - 334 с. - Текст : непосредственный.Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NbN пленках / О. В. Окунев, Г. М. Чулкова, А. А. Корнеев [и др.], 2014. - 127 с. - Текст : непосредственный.Wissensspeicher Infrarottechnik / Federfuhr.: K. Herrmann, L. Walther, 1990. - 444 S. - Текст : непосредственный.Тепловидение : Сб.науч.тр. / Моск.гос.ин-т радиотехники,электроники и автоматики(техн.ун-т). 12, 1998. - 102 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.С. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем / А. С. Макаров, А. И. Омелаев, В. Л. Филиппов, 1998. - 318 с. - Текст : непосредственный.Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. П. Яковлев, 1995. - 48 с. - Текст : непосредственный.Чиванов А.Н. Принципы построения модульных тепловизионных приборов с последовательно-параллельным сканированием : специальность 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Н. Чиванов, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багдуев Р.И. Рождение и развитие в Сибири электронно-оптических преобразователей новых поколений и создание на их базе современных приборов ночного видения / Р. И. Багдуев, 2009. - 55 с. - Текст : непосредственный.Recent developments in infrared components and subsystems / Ed. C. T. Elliott, 1988. - VI,116 p. p. - Текст : непосредственный.Infrared systems-design and testing : материалы временных коллективов / Ed.: P. R. Hall, J. Seeley, 1988. - VI,165 p. p. - Текст : непосредственный.Applications of infrared technology : материалы временных коллективов / Ed. T. L. Williams, 1988. - VI,149 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДенисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный.Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Дорофеев В.В. Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / В. В. Дорофеев, 2005. - 24 c. - Текст : непосредственный.
Севостьянов А.С. Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb Bi и GaInSb Bi для инжекционных излучателей ИК-диапазона : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А.С. Севостьянов, 2005. - 23 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Формирование слоев n-типа проводимости при радиационно-термических обработках кристаллов p-Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.40.10 / Н. Х. Талипов, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Зайкина Р.Ф. Процессы радиационного дефектообразования в эпитаксиальных пленках PbS : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.фихз.-мат.наук:01.04.07 / Р. Ф. Зайкина, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нестеров Д.В. Получение и соединение индиевых контактов в изделиях микроэлектроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.16.01 / Д.В. Нестеров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Котков А.П. Получение эпитаксиальных слоев Cd Hg Te на арсениде галлия методом химического осаждения из паров диметилкадмия, диэтилтеллура и ртути : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.19 / А. П. Котков, 1996. - 27 с. - Текст : непосредственный.Михайлов Н.Н. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур CdxHg1-xTe на подложках GaAs для инфракрасных фотоприемников : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Н. Н. Михайлов, 2005. - 23 с. - Текст : непосредственный.Коханенко А.П. Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. П. Коханенко, 1999. - 36 с. - Текст : непосредственный.Лиленко Е.П. Формирование и свойства границы раздела анодной оксид-Hg Cd Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.18 / Е. П. Лиленко, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Дегоев М.А. Послойная кристаллизация халькогенидов свинца-олова из расплава и из газовой фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / М. А. Дегоев, 1992. - 14 с. - Текст : непосредственный.Варавин В.С. Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd Hg Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / В. С. Варавин, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Голубченко Н.В. Влияние примесей на кинетику и механизмы окисления поликристаллических слоев селенида свинца при формировании фоточувствительных структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06, 05.27.01 / Н.В. Голубченко, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Якушев М.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений AIIBVI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / М. В. Якушев, 2003. - 17 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽