Приложение
для AndroidПолное описание
Свиридов, Д. Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов. - 2011. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-17 . - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.35.31 | 621.373.826.038.825.5(043) |
Кл.слова (ненормированные): АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЛАЗЕРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ -- СКАНИРУЮЩАЯ МИКРОСКОПИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ РАСТЕКАНИЯ
Аннотация: Развитие различных методов спектроскопии для определения параметров нелегированных полупроводниковых гетероструктур, таких как толщины слоев, химический состав и концентрация носителей на основе материалов AIIIBV и AIIBVI.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар11-9160)
Шифр в сводном ЭК: 24c419c4cd4bfa9c737a3de678111586
Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Дудкин В.А. Сероуглеродные пламена как активные среды химических СО лазеров / В. А. Дудкин, 1999. - 67 с. - Текст : непосредственный.Орловский Ю.В. Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. В. Орловский, 1998. - 28 с. - Текст : непосредственный.Вахдани Могаддам Мехран.Динамика формирования нелинейного отклика и "обучение" самонакачивающихся ОВФ зеркал: петлевое и двойное ОВФ зеркала на титанате бария : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Вахдани Могаддам Мехран, 2005. - 18 с. - Текст : непосредственный.Легкий В.Н. Малогабаритные генераторы накачки полупроводниковых лазеров / В. Н. Легкий, И. Д. Миценко, Б. В. Галун, 1990. - 215 с. - Текст : непосредственный.JAXA research and development report / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). RR-06-014E : High quality InxGa1-xAs (X:0.1-0.13) platy crystal growth for semiconductor laser substrates / K. Kinoshita [et al.], 2007. - 7 p. - Текст : непосредственный.Кадиева П.Г. Исследование влияния импульсно-периодической ионизации на характеристики непрерывного технологического СO -лазера с самостоятельным поперечным разрядом : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Г. Кадиева, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ткачев А.Н. Кинетические модели релаксации плазмы и динамика многих частиц в лазерной физике : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-техн. наук / А. Н. Ткачев, 2002. - 47 с. - Текст : непосредственный.Прохождение оптического излучения через лазерно-активную жидкость, возбужденную осколками деления / А. Ф. Добровольский, В. В. Калинин, Е. А. Серегина, 1996. - 12 с. - Текст : непосредственный.Жарихина Л.П. Кинетические, спектральные и пороговые характеристики перестраиваемых лазеров с сосредоточенной и распределенной обратной связью : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. П. Жарихина, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Свиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Наливко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Laser applications in life sciences : Book of abstracts:Moscow,USSR / The 3-rd International conference on laser scatering spectroscopy and diagnostics of biological objects. Vol. 1 : Invited papers, 1990. - 113 c. - Текст : непосредственный.Laser applications in life sciences : Book of abstracts:Moscow,USSR / The 3-rd International conference on laser scatering spectroscopy and diagnostics of biological objects. Vol. 2 : Posters, 1990. - 142 с. - Текст : непосредственный.Jaegle P. Coherent sources of XUV radiation / P. Jaegle, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Koechner W. Solid-state laser engineering / W. Koechner, 2006 r=on-lineProgress in ultrafast intense laser science. Vol. 1 / K. Yamanouchi, P. Agostini, S. L. Chin, G. Ferrante, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.High power diode lasers / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSpringer handbook of lasers and optics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineX-Ray lasers 2006 / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-line
Показать все результатыСвиридов Д.Е. Сканирующая зондовая микроскопия наноразмерных гетероструктур для полупроводниковых лазеров / Д. Е. Свиридов, 2011. - 17 с. - Текст : непосредственный.Наливко С.В. Генерационные характеристики многослойных квантоворазмерных лазерных гетероструктур : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Наливко, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Дракин А.Е. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твердых растворов А В : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Е. Дракин, 1996. - 23 с. - Текст : непосредственный.Ву Ван Лык.Фотоэлектрический эффект в полупроводниковых лазерах и оптических усилителях : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ву Ван Лык, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.Ременный М.А. Перестраиваемые ИК-лазеры на основе InAs и его твердых растворов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ременный, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Павлов С.Г. Лазеры терагерцового диапазона частот на примесных центрах в кремнии и германии : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния", 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. Г. Павлов, 2010. - 34 с. - Текст : непосредственный.Мамаев А.Н. Взаимодействие волн в активной среде полупроводникового лазера при инжекции внешнего излучения : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Н. Мамаев, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Коренев В.В. Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs / В. В. Коренев, 2013. - 17 с. - Текст : непосредственный.Павлов С.Г. Узкополосный перестраиваемый лазер длинноволнового инфракрасного диапазона на р-Ge : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах", 05.27.03 "Квантовая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / С. Г. Павлов, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жигулин С.Н. Исследование инжекционных квантоворазмерных лазеров в системе InGaAsP/GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук / С. Н. Жигулин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Костко И.А. Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. А. Костко, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Котельников Е.Ю. Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. Ю. Котельников, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Wang J. Intrinsic dynamics of low-dimensional semiconductor quantum-well, wire and box lasers / J. Wang, 1997. - VII,170 p. p. - Текст : непосредственный.Жуков А.Е. Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Е. Жуков, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.Кучинский В.И. Полупроводниковые InGaAsP/InP(=1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. / В. И. Кучинский, 1998. - 60 с. - Текст : непосредственный.Слипченко С.О. Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. О. Слипченко, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный.Горлачук П.В. Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaInAs/InP для мощных импульсных лазерных излучателей спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.03 / П. В. Горлачук, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бежанишвили Г.Р. Разработка технологии и исследование характеристик квантоворазмерных лазеров в системе In-Ga-As-P/GaAs, излучающих в диапазоне от 0,91 до 0,74 мкм : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Г. Р. Бежанишвили, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фокин Г.А. Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук / Г. А. Фокин, 1994. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽