Полное описание
Krauser, J.
ГРНТИ УДК 47.33 621.382(043)
Рубрики: Полупроводники -- Методы исследования
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК -- ПОЛУПРОВОДНИК
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/3812/B 535)
Шифр в сводном ЭК: db29f0f3cda1ec17b6366c9042801aaf
Bohne C. Mikrostruktur, Eigenspannungszustand und Korrosionsbestandigkeit des kurzzeitlaserwarmebehandelten hochstickstofflegierten Werkzeugstahls X30CrMoN 15 1 / C. Bohne, 2000. - VII, 127 S. 127 S. - Текст : непосредственный. Gall S. Admittanzspektroskopische Untersuchungen des a-Si:H/c-Si-Heterouberganges im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen / S. Gall, 1997. - II,148 p. p. - Текст : непосредственный. Neutron-scattering instrumentation at the research reactor BER II, 1996. - 50 p. - Текст : непосредственный. Krauser J. Wasserstoff im MOS-System:Bestimmung der Konzentration,Verteilung und Dynamik des Wasserstoffs mit Hilfe der 15N-Methode / J. Krauser, 1996. - 169 S. - Текст : непосредственный. Krappe H.J. Generalizations of Kramers' rate formula : сборник научных трудов / H. J. Krappe. - 21 p. - Текст : непосредственный. Axmann A. Wahl des Moderators fur die Kalte Neutronenquelle des BER II / A. Axmann, K. Gobrecht. - 24 S. - Текст : непосредственный. Kowsky T. Lineare Integralgleichungen 1.Art JbaK(s,t).y(t)dt=f(s) / T. Kowsky, J. Grzanna, 1994. - 29 S. - Текст : непосредственный. Radke R.E.C. Strahlenschadigung in MOS-Varaktoren bei tiefen Temperaturen / R. E.C. Radke, 1993. - 110 S. - Текст : непосредственный. Hoinkis E. The diffusion of Ag in the graphitic matrices A3-3 and A3-27 / E. Hoinkis, 1994. - 60 p. - Текст : непосредственный. HIS(Hydrogen in Solids), 1994. - III,114 S. S. - Текст : непосредственный. Radiologische Auswirkungen eines Flugzeugabsturzes auf den Forschungsreaktor BER II : сборник научных трудов / A. Axmann, R. Bohnert, J. Ehrhardt, I. Hasemann, 1994. - 77 S. - Текст : непосредственный. Das Ionen-Strahl-Labor am HMI / Ionenstrahllaboratorium (Berlin), 1994. - 65 S. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Семенов А.А. Новые механизмы возникновения магнито-управляемого отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах и создание генераторов с регулируемыми характеристиками : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах", 01.04.03 "Радиофизика" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Семенов, 2010. - 34 с. - Текст : непосредственный. Krauser J. Wasserstoff im MOS-System:Bestimmung der Konzentration,Verteilung und Dynamik des Wasserstoffs mit Hilfe der 15N-Methode / J. Krauser, 1996. - 169 S. - Текст : непосредственный. Обухов И.А. Неравновесные эффекты как основа функционирования твердотельных электронных приборов / И. А. Обухов, 2014. - 46 с. - Текст : непосредственный. Симанович Е.В. Перенос носителей и накопление заряда в МДП структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. В. Симанович, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный. Родин П.Б. Нелинейная динамика шнуров тока и фронтов ионизации в полупроводниковых приборах ключевого типа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / П. Б. Родин, 2008. - 34 с. - Текст : непосредственный. Дробот П.Н. Закономерности развития винтовой неустойчивости в кремниевых осциллисторах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Н. Дробот, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Гуляев А.М. Технология приготовления на неориентирующих подложках и электрофизические свойства пленок антимонида индия, предназначенных для создания акустоэлектронных и гальваномагнитных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 01.04.10 / А. М. Гуляев, 1989. - 37 с. - Текст : непосредственный. Доника Ф.Г. Получение и характеризация некоторых полупроводниковых сложных халькогенидов и разработка приборных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10, 01.04.18 / Ф. Г. Доника, 1990. - 63 с. - Текст : непосредственный. Айзенштат Г.И. Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 01.04.10 / Г. И. Айзенштат, 2004. - 36 с. - Текст : непосредственный. Трифонов О.А. Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. А. Трифонов, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Криворотов Н.П. Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :01.04.10 / Н. П. Криворотов, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов В.А. Математическое моделирование физических явлений в твердотельных структурах с неоднородным распределением внутренних параметров для разработки приборов с улучшенными характеристиками : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.13.18, 05.27.01 / В. А. Кузнецов, 2015. - 44 с. - Текст : непосредственный. Punkka E. Electrical characterization of conducting polymers and polymeric semiconductor devices : Diss. / E.Punkka, 1991. - 30 p. - Текст : непосредственный. Лысенко А.П. Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. П. Лысенко, 2001. - Текст : непосредственный. Столяров М.А. Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.07 / М. А. Столяров, 2007. - 16 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
