Приложение
для AndroidПолное описание
Electron technology : сборник научных трудов. - Warszawa : Wydaw. nauk., 19 - . - ISSN 0070-9816. - Текст : непосредственный.
Vol. 21,N 1/2. - 1989. - 124 p. : ill. - ISBN 83-01-09116-9
Рез.рус.,пол.Библиогр.в конце ст.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13 | 621.384.002(05) |
Рубрики:
Электронные приборы -- Производство
Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР
Копия:
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/6425/21,N 1/2)
Шифр в сводном ЭК: db14d20294034eb3ffef2e0cadf699ae
Surface and thin film structures 1996 : материалы временных коллективов / Ed. M. Jalochowski, 1997. - 230 p. - Текст : непосредственный.The second Korean-Polish joint seminar on phisical properties on magnetic materials,Warszawa,Poland,Aug.20-23,1996 / Korean-Polish joint seminar on phisical properties on magnetic materials (2 ; 1996 ; Warszawa) , 1997. - 77 p. - Текст : непосредственный.Surface and thin film structures 1995 : Proc.of the 3rd seminar on surface and thin film structures Spala,Oct.23-26,1995 / Ed. J. Katcki, 1996. - 56-333 p. p. - Текст : непосредственный.Polish-japanese joint seminar on materials analysis, Warszawa, Poland, Sept.1-3, 1997 : Lectures / Polish-japanese joint seminar on materials analysis (1997 ; Warszawa) , 1998. - 139-278 p. p. - Текст : непосредственный.
Чебуркин А.Н. Диагностика источников электронов по двумерным изображениям : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Чебуркин, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Казаков Н.И. Технология пайки монтажных соединений в производстве РЭА / Н. И. Казаков, В. М. Критский, 1989. - 129 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Петров В.П. Выполнение монтажа и сборки средней сложности и сложных узлов, блоков, приборов радиоэлектронной аппаратуры, аппаратуры проводной связи, элементов узлов импульсной и вычислительной техники. Практикум : выставочные материалы / В. П. Петров, 2014. - 173 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Зоркин А.Я. Формирование вакуумных и эмиссионных параметров электронных приборов : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Я. Зоркин, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мастеров Д.В. Магнетронное напыление и исследование пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2CuзO7- для применений в пассивных высокочастотных устройствах / Д. В. Мастеров, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Назаров А.А. Проектирование тестовых схем для аттестации технологичесчких процессов производства СБИС : специальность 05.27.05 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. А. Назаров, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Поляхов М.Ю. Разработка способа, аппаратных и программных средств контроля электропроводимости и качества металлизации отверстий печатных плат : специальность 05.11.01 "Приборы и методы измерения (по видам измерений) ", 05.11.13 "Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. Ю. Поляхов, 2001. - 22 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 14(1489) : Электролиты для гальванического меднения : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1960-1989 гг. / И.Е.Шпак, 1989. - 86 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Семенов Ю.Г. Контроль качества / Ю. Г. Семенов, 1990. - 111 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыElectron technology. Vol. 21,N 1/2, 1989. - 124 p. - Текст : непосредственный.
Electron technology. Vol. 27,N 1, 1994. - 78 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 26,N 1, 1993. - 114 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 29,N 4, 1996. - 339-396 p. p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 27,N 2, 1994. - 94 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 27,N 3/4, 1994. - 165 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 28,N 4, 1995. - 306 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 22,N 1/4, 1990. - 103 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 28,N 1/2, 1995. - 130 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 26,N 2/3, 1993. - 142 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 24,N 3/4, 1991. - 139 s. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 25,N 1/4, 1992. - 92 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 30,N 3, 1997. - 234-283 p. p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 26,N 4, 1994. - 79 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 29,N 1, 1996. - 52 p. - Текст : непосредственный.Electron technology. Vol. 30,N 4, 1997. - 287-369 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽