Полное описание
Никитина, Е. А.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592-416(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР95-3475)
Шифр в сводном ЭК: 64ad3a96f56a2d6bed115aa927192e82
Ковальчук А.Б. Энергетическая эффективность угольного топливного цикла / А. Б. Ковальчук, Е. А. Никитина, Р. И. Соколовский, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный. Демура Н.А. Организация производства и менеджмент : выставочные материалы / Н. А. Демура, Е. А. Никитина, 2014. - 267 с. - Текст : непосредственный. Никитина Е.А. Рентгенографические исследования структуры аморфных окислов алюминия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Никитина, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный. Никитина Е.А. Анализ энергетической эффективности угольного топливного цикла котельных промпредприятий : специальность 05.14.04 "Промышленная теплоэнергетика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. А. Никитина, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный. Рефлексивные процессы и управление : сборник / Д. К. Абакаров, Ю. И. Альтман, Т. Я. Аникеева [и др.] ; Ред. В. Е. Лепский, 2015. - 299 с. - Текст : электронный. Никитина Е.А. Организация промышленного производства и менеджмент : выставочные материалы / Е. А. Никитина, Н. А. Демура, Л. И. Ярмоленко, 2012. - 226 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Сергеева А.В. Финансовые основы реструктуризации организации (в таблицах и схемах) : учебное пособие / А. В. Сергеева, Е. А. Никитина, 2019. - 50 с. - Текст : непосредственный. Цифровая экономика и финансовые технологии (ФИНТЕХ) : учебное пособие / Г. В. Кузнецов, Г. В. Коршунова, Р. К. Нурмухаметов [и др.]; под ред. Г. В. Коршуновой, Р. К. Нурмухаметова, 2019. - 56 с. - Текст : непосредственный. Экономика отрасли (строительство) : учеб. пособие / А. А. Рудычев [и др.], 2011. - 180 с. - Текст : непосредственный. Никитина Е.А. Организация промышленного производства и менеджмент : учеб. пособие / Е. А. Никитина, Н. А. Демура, Л. И. Ярмоленко, 2011. - 226 с. - Текст : непосредственный. Никитина Е.А. Формирование системы управления конкурентоспособностью предприятия / Е. А. Никитина, А. А. Рудычев, 2012. - 130 с. - Текст : непосредственный. Основы оценки собственности : учеб. пособие / Белгор. гос. технол. ун-т им. В. Г. Шухова. Ч. 2 / И. П. Авилова [и др.], 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Никитина Е.А. Рентгенографические исследования структуры аморфных окислов алюминия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Никитина, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный. Новикова Ю.А. Исследование оптических констант пленок фторидов в средней ИК области спектра и синтез на их основе ахроматических просветляющих покрытий / Ю. А. Новикова, 2015. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Кайдашев Е.М. Создание и исследование элементов новых радиофизических устройств на основе тонких пленок и одномерных наноструктур / Е. М. Кайдашев, 2018. - 48 с. - Текст : непосредственный. Усольцева Д.С. Электронная, атомная структура и фазовый состав композитных пленок Al-Si / Д. С. Усольцева, 2018. - 15 с. - Текст : непосредственный. Тростянская Н.И. Получение активированным электронно-лучевым напылением пленок оксида индия, их электрофизические и оптические свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Н. И. Тростянская, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный. Исмаилов Д.В. Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.07 / Д. В. Исмаилов, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный. Поройков С.Ю. Взаимосвязь фазового перехода полупроводник-металл и поверхностных явлений в пленках диоксида ванадия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.17 / С. Ю. Поройков, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный. Буряков А.М. Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. М. Буряков, 2017. - 25 с. - Текст : непосредственный. Томина Е.В. Термическое окисление арсенида галлия и фосфида индия при участии хлоридов и оксохлоридов элементов IV-VI групп : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.01 / Е. В. Томина, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный. Шиляев П.А. Фрактальный анализ поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / П. А. Шиляев, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный. Галанин С.Г. Фазообразование и термостабильность пленок нитрида вольфрама на арсениде галлия, осаждаемых ионнолучевым распылением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / С. Г. Галанин, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный. Сказочкин А.В. Структура и свойства дефектов с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях фосфида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. В. Сказочкин, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный. Хидиров М.С. Разработка плазмохимических методов получения полупроводниковых карбидных и нитридных пленок и порошков : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 02.00.04 / М. С. Хидиров, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ройзин Я.О. Электронные свойства и дефекты структуры аморфных высокоомных слоев на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Я. О. Ройзин, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный. Хенкин М.В. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. В. Хенкин, 2015. - 26 с. - Текст : непосредственный. Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный. Wanka H. Ellipsometrie und Rasterkraftmikroskopie :Untersuchung der Nukleation und des Wachstums von Si-Dunnschichten : Diss. / H.Wanka, 1997. - 148 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
