Полное описание
Малкович, Р. Ш. ISBN 5-02-024859-2. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.219.3
Рубрики: Полупроводники -- Диффузия
Кл.слова (ненормированные): АТОМНАЯ ДИФФУЗИЯ -- ДИФФУЗИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-99/49348)
Шифр в сводном ЭК: 4f7f3fd797100ca8a02f6eddbbc1b36a
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. Горнушкина Е.Д. Особенности диффузии примеси в полупроводнике, связанные с ионизацией примесных атомов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. Д. Горнушкина, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный. Литвин Н.В. Математическое моделирование диффузии в многокомпонентных твердых растворах А В : специальность 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Н. В. Литвин, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Turan R. Noneguilibrium diffusion of dopants in silicon: numerical solutions of the diffusion eguation, application to redistribution of ion implanted dopants in (111) resrystallized silicon / R.Turan, 1990. - 23 p. - Текст : непосредственный. Бондарева Т.В. Численное моделирование радиационно-ускоренной диффузии легирующих примесей в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Т. В. Бондарева, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный. Kuhn B.A. Diffusion von Gold in Silizium: Isokonzentrationsmessungen des Einflusses von @:Oberfl@:achenschichten : Diss / B.A.Kuhn, 1991. - 139 S. - Текст : непосредственный. Криворучко А.А. Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. А. Криворучко, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Defects and diffusion in semiconductors XIV : vol. 14 / Ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line. - Текст : электронный. Gustin W. Experimentelle Untersuchungen zur Diffusion von Ubergangsmetallen in amorphem Silizium und Germanium : Diss. / W.Gustin, 1994. - 150 S. - Текст : непосредственный. Величко О.И. Моделирование процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / О. И. Величко, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный. Боднарь О.Б. Теоретические и экспериментальные исследования диффузии бора и фосфора в приповерхностной области ионно-легированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / О. Б. Боднарь, 1997. - 26 с. - Текст : непосредственный. Овчаров В.В. Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. В. Овчаров, 2006. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
