ГПНТБ России - Полное описание

Полное описание

Шалимова, К. В. Физика полупроводников : учебное пособие / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - СПб. [ и др.] : Лань, 2010 (Киров). - 391 с. : ил. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Предм. указ.: с. 383-387. - 1500 экз. - ISBN 978-5-8114-0922-8. - Текст : непосредственный.
Книга из коллекции Лань - Физика

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322
	ББК
	22.379я73

Рубрики:
Полупроводники

Кл.слова (ненормированные): АТОМ -- БРИЛЛЮЭН -- БРИЛЛЮЭНА ЗОНЫ -- ВЫСШЕЕ ОБРАЗОВАНИЕ -- ГАННА -- ГАННА ЭФФЕКТ -- ГЕНЕРАЦИЯ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД -- ДЕМБЕРА ЭФФЕКТ -- ДИОД -- ДИОД ТУННЕЛЬНЫЙ -- ДИФФУЗИЯ -- ДИФФУЗИЯ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- ДРЕЙФ -- ДЫРКА -- ЗАРЯД -- ЗОННАЯ -- ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ИЗЛУЧЕНИЕ -- ИОНИЗАЦИЯ -- ИОНИЗАЦИЯ УДАРНАЯ -- КВАЗИИМПУЛЬС -- КОЛЕБАНИЕ -- КОЛЕБАНИЯ АТОМОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ -- КОНТАКТ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ -- ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- НОСИТЕЛЬ -- ОТРАЖЕНИЕ -- ПОГЛОЩЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИК НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ПРИМЕСНЫЕ -- ПРИМЕСНЫЙ -- РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ -- РЕЗОНАНС -- РЕЗОНАНС ЦИКЛОТРОННЫЙ -- РЕКОМБИНАЦИЯ -- РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ -- РЕЛАКСАЦИЯ -- РЕШЕТКА -- РЕШЕТКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ (ФИЗИКА) -- СПЕКТР -- ТЕОРИЯ -- ТЕОРИЯ КОЛЕБАНИЙ -- ТЕОРИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ -- ТЕПЛОЕМКОСТЬ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ -- ТОК -- ТУННЕЛЬНЫЙ -- УДАРНАЯ -- УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ -- УРОВЕНЬ -- УЧЕБНИК И ПОСОБИЕ -- УЧЕБНИКИ -- УЧЕБНЫЕ ИЗДАНИЯ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ (ОСНОВЫ) -- ФОНОН -- ФОТОПРОВОДИМОСТЬ -- ФОТОЭЛЕКТРОНИКА -- ФОТОЭФФЕКТ -- ХОЛЛА -- ХОЛЛА ЭФФЕКТ -- ЦИКЛОТРОННЫЙ -- ШОТТКИ -- ШРЕДИНГЕРА -- ШРЕДИНГЕРА УРАВНЕНИЕ -- ЭКСИТОННЫЙ -- ЭЛЕКТРОН -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ (ИЗМЕРЕНИЯ) -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ЭФФЕКТ -- ЭФФЕКТ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ЭФФЕКТ ТУННЕЛЬНЫЙ
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.

Ссылка на документ в ЭБС Лань

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-10/75736)