Полное описание

Исследование мемристорного эффекта в кроссбар-архитектуре для нейроморфных систем искусственного интеллекта / В. В. Полякова, А. В. Саенко, И. Н. Коц, А. В. Ковалев. - DOI 10.31857/S0544126924010069. - Текст : непосредственный // Микроэлектроника. - 2024. - Т. 53, N 1. - С. 58-63. - Библиогр. в конце ст. - ISSN 0544-1269.

ГРНТИ	УДК
28.23	004.8
28.23.37	004.032.26
	621.793.1

Рубрики:
Искусственный интеллект
Нейронные сети

Кл.слова (ненормированные): мемристор -- кроссбар-архитектура -- нейроморфные системы -- магнетронное напыление -- атомно-силовая микроскопия
Аннотация: В данной статье представлены результаты экспериментальных исследований структур, сформированных на основе кроссбар-архитектуры мемристорных структур из различных материалов. В качестве рабочего мемристорного слоя был использован TiO2. В качестве материала для контактных площадок были использованы: Al, Ni, Cr, Mo, Ta, Ag. В ходе проведения экспериментальных исследований было выявлено оптимальное сочетание материалов для формирования кроссбар мемристорных структур, которые в дальнейшем могут быть использованы в устройствах нейроморфных систем искусственного интеллекта.
Доп. точки доступа:
Полякова, Виктория Вадимовна
Саенко, Александр Викторович
Коц, И.Н.
Ковалев, Андрей Владимирович


Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -104707-083826)

Шифр в сводном ЭК: cb57d1f17c19417a9e28aa424e5742c9

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽