• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Балаган, Семён Анатольевич. Электронные и фононные свойства наноструктурированных GaSb, β FeSi2, FeSi и CoSi : специальность - 1.3.11. Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Балаган Семён Анатольевич ; Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН. - Владивосток, 2025. - 19 с. : цв. ил. - Библиогр.: с. 18-19 (12 назв.). - Тираж не указ. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    29.19.31621.315.592.9-022.532:53(043)

    Рубрики:
    Наноструктурные материалы полупроводниковые -- Физические свойства

    Кл.слова (ненормированные): АКУСТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ -- ВСТРАИВАНИЕ -- ДИСИЛИЦИД ЖЕЛЕЗА -- НАНОКРИСТАЛЛИТЫ -- НАНОСТРУКТУРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- РЕШЕТОЧНАЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ -- ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ
    Доп. точки доступа:
    Институт автоматики и процессов управления (Владивосток)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар26-2142)

    Шифр в сводном ЭК: 23ac51363b9783e0a45d6946c0e5ae35



    Заказ фрагмента документа ₽