• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Павлов, Николай Владимирович. Основы зонной теории полупроводников и полупроводниковых гетероструктур : учебное пособие / Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" имени В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург : Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2025. - 85, [1] с. : ил. - Библиогр.: с. 85 (9 назв.). - 47 экз. - ISBN 978-5-7629-3505-0. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    На обложке авторы: Г. Г. Зегря, Н. В. Павлов.
    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.322:530.145

    Рубрики:
    Полупроводники -- Квантовая теория

    Кл.слова (ненормированные): ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ИДЕАЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- КВАНТОВЫЕ ЯМЫ -- МОДЕЛЬ КЕЙНА -- СПИН-ОРБИТАЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ -- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ
    Аннотация: Посвящено изучению зонного приближения для описания энергетических состояний носителей заряда в твердом теле. Приведен обзор различных методов расчета зонной структуры полупроводников, включая метод присоединенных плоских волн, метод ортогонализированных плоских волн и метод псевдопотенциала. Особое внимание уделено процедуре вывода многозонного кр-гамильтониана, а также механизму появления непараболичности энергетического спектра для полупроводниковых соединений А 3В 5с кристаллической структурой цинковой обманки. Рассмотрены особенности зонной структуры в полупроводниковых гетероструктурах. Описаны эффекты трансформации дырок на гетерогранице и размерного квантования электронных состояний в квантовых ямах. Предназначено для студентов инженерно-физических специальностей, в том числе обучающихся по направлению 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника", а также для исследователей, интересующихся теоретическими основами физики твердого тела и полупроводниковых технологий.
    Доп. точки доступа:
    Зегря, Георгий Георгиевич
    Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д11-25/40639)

    Шифр в сводном ЭК: cf5413be053564be3248590a5e138083



    Заказ фрагмента документа ₽