• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Федотов, Михаил Игоревич. Теоретическое и экспериментальное исследование процессов многофиламентарного переключения в элементах резистивной памяти на основе оксидов металлов для создания матриц большого объема и нейроморфных систем : специальность 2.2.2 - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Федотов Михаил Игоревич ; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН. - Москва, 2025. - 38 с. : цв. ил. - Библиогр.: с. 35-38 (34 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    50.11004.33.076.4(043)

    Рубрики:
    Запоминающие устройства энергонезависимые

    Кл.слова (ненормированные): ВЫЧИСЛЕНИЯ В ПАМЯТИ -- RRAM -- ДАННЫЕ -- ОБРАБОТКА -- РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ -- ХРАНЕНИЕ
    Доп. точки доступа:
    Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Москва)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар25-6540)

    Шифр в сводном ЭК: e2f137e308947d8bd6ba9166931f63d4



    Заказ фрагмента документа ₽