Полное описание
Терешкин, Евгений Валентинович .
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.323(043)
Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- КВАНТОВЫЕ УСТРОЙСТВА -- МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРИКИ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА-ПУАССОНА -- ЦИФРОВЫЕ БАРЬЕРЫ
Доп. точки доступа: "Исток", научно-производственное предприятие им. А. И. Шокина (Фрязино)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар24-1298)
Шифр в сводном ЭК: 7a54a20969c398412f25bd7529679a47
Богомолова, Евгения Александровна. Замедляющие системы с улучшенными электродинамическими параметрами и теплорассеивающей способностью для низковольтных ЛБВ миллиметрового диапазона : 2.2.1 - Вакуумная и плазменная электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Богомолова Евгения Александровна, 2021. - 23 с. - Текст : непосредственный. Потапов, Александр Васильевич. "Исток". Лауреаты Государственных премий / А. В. Потапов, 2022. - 317, [1] с. - Текст (визуальный) : непосредственный. Быковский, Сергей Васильевич. Циклотронные защитные устройства приемников радиолокационных систем сверхвысокочастотного диапазона : специальность 2.2.1 "Вакуумная и плазменная электроника": автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук / Быковский Сергей Васильевич, 2021. - 37 с. - Текст : непосредственный. Карасев, Максим Сергеевич. Методики оперативного контроля электрических параметров приемо-передающих модулей активной фазированной антенной решетки X-диапазона частот : 2.2.2 - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Карасев Максим Сергеевич, 2022. - 24 с. - Текст : непосредственный. Жабин, Геннадий Анатольевич. Совершенствование эмиссионных и эксплуатационных свойств молекулярно-напыленных оксидных катодов для циклотронных защитных устройств : специальность 2.2.1. Вакуумная и плазменная электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Жабин Геннадий Анатольевич, 2022. - 23 с. - Текст : непосредственный. Вашин, Сергей Александрович. Повышение электрической прочности межэлектродных промежутков многолучевых клистронов : специальность 2.2.1. - Вакуумная и плазменная электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Вашин Сергей Александрович, 2022. - 19 с. - Текст : непосредственный. Терешкин, Евгений Валентинович. Обращенные гетероструктуры с донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами для увеличения коэффициента усиления полевых транзисторов миллиметрового диапазона длин волн : специальность 2.2.2. "Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Терешкин Евгений Валентинович, 2024. - 23 с. - Текст : непосредственный. Ефимов, Александр Сергеевич. Интеграция кристаллов полупроводниковых СВЧ приборов с применением метода перевернутого монтажа на основе тонкоплёночной системы металлов Au-Sn : специальность 2.2.2 - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук / Ефимов Александр Сергеевич, 2024. - 23 с. - Текст : непосредственный. Коломин, Виталий Михайлович. Высокодобротные резонаторы в системе оксидов Ba-Mg-Ta для твердотельных автогенераторов и фильтров СВЧ : 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Коломин Виталий Михайлович, 2025. - 25 с. - Текст : непосредственный. Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный. Сивожелезов В.И. Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и Р-N-переходом в подложке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Сивожелезов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Рубан О.А. Влияние процесса структурной релаксации в НЕМТ на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики / О. А. Рубан, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный. Емельянов А.В. Транспорт носителей заряда в наноразмерных каналах, сформированных углеродными нанотрубками, взаимодействующими с органическими молекулами : специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / А. В. Емельянов, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный. Минюк С.К. Деградационные процессы в короткоканальных МОП-транзисторах, обусловленные инжекцией горячих носителей в подзатворный окисел : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / С. К. Минюк, 1990. - 22 c. - Текст : непосредственный. Ткаченко А.Л. Исследования зарядовых процессов в инжекционно модифицированных структурах и разработка приборов на их основе : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.07 / А. Л. Ткаченко, 2007. - 16 с. - Текст : непосредственный. Луговский В.П. Инжекционно-полевые транзисторные структуры для аналоговых ИМС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. П. Луговский, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный. Михайлов А.И. Физико-технологические основы формирования канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. И. Михайлов, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный. Никифорова И.О. Формирование и исследование зарядовых свойств МДП структур на основе оксида алюминия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. О. Никифорова, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Белоусов И.И. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния,полученной при низких (100-400 С) температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. И. Белоусов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный. Александров С.Б. Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, Ga)N/GaN : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.10, 05.27.01 / С. Б. Александров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Ермолов А.В. Электрофизические и структурные характеристики сформированной лазерным напылением границы раздела InSb-CdTe для МДП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Ермолов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный. Бадалов А.З. Особенности неравновесных электронно-ионных процессов в МДП и гетероструктурах на основе кремния и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. З. Бадалов, 1992. - 39 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
