Приложение
для AndroidПолное описание
Воронковский, Виталий Александрович. Механизмы переноса заряда в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония : специальность 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Воронковский Виталий Александрович ; Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. - 2023. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 24-25. - 120 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 50.11 | 004.33.076.4(043) | |
| 621.316.86(043) |
Кл.слова (ненормированные): МЕМРИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- ОБРАЗОВАНИЕ ФИЛАМЕНТА -- РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- РЕЗИСТОРЫ -- ТРАНСПОРТ ЗАРЯДА -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Доп. точки доступа:
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар23-7724)
Шифр в сводном ЭК: 6cbe0ac99e02ad91395ff6aa0efdd769
Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Фотоника 2017 / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2017. - 200 с. - Текст : непосредственный.Гриценко В.А. Физика диэлектрических пленок. Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти / В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, 2017. - 351 с. - Текст : непосредственный.Харрис П. Углеродные нано-трубки. Синтез, свойства и применение / П. Харрис; пер. с англ. В. М. Ефимова; под ред. А. В. Двуреченского, 2016. - 220 с. - Текст : непосредственный.Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2012. - 257 с. - Текст : непосредственный.Наука из первых рук : периодический научно-популярный журнал / Российская Академия Наук. Сибирское отделение, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), Институт нефтегазовой геологии и геофизики им. А. А. Трофимука (Новосибирск). - Журнал выходит с 2004г. - Текст : непосредственный.Свиташёва С.Н. Метод эллипсометрии для исследования наноразмерных пленок диэлектриков, полупроводников и металлов / С. Н. Свиташёва; ответственный редактор О. П. Пчеляков, 2019. - 261, [6] с. - Текст : непосредственный.Гутаковский А.К. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах / А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, А. Л. Чувилин, 2016. - 261 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника / ФАНО России, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2017. - 182 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. - 244 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Асеев, Александр Леонидович. Наука Сибири на изломе эпох : заметки участника событий / А. Л. Асеев, 2021. - 303 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Астанкова, Ксения Николаевна. Получение плёнок метастабильного GeO и их модификация зондом атомно-силового микроскопа и лазерным облучением : 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Астанкова Ксения Николаевна, 2021. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кожухов, Антон Сергеевич. Модификация свойств поверхности полупроводников при воздействии зондом атомно-силового микроскопа : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кожухов Антон Сергеевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.Милахин, Денис Сергеевич. Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Милахин Денис Сергеевич, 2021. - 32 с. - Текст : непосредственный.Гайдук, Алексей Евгеньевич. Мультирезонансные поляризационные системы на основе метаповерхностей : 01.04.07 - физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Гайдук Алексей Евгеньевич, 2021. - 18, [1] с. - Текст : непосредственный.Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный.Савенко, Иван Григорьевич. Фотоэлектрические явления и сверхпроводимость в гибридных Бозе-Ферми системах на основе двумерных полупроводниковых структур и графена : специальность 1.3.8. "Физика конденсированного состояния": автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Савенко Иван Григорьевич, 2021. - 43 с. - Текст : непосредственный.Кремний, 2022, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск : XIV международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе: тезисы докладов, 2022. - 159 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Ольшанецкий, Евгений Борисович. Транспортные свойства двумерного полуметалла и двумерного топологического изолятора в квантовых ямах HgTe : специальность: 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Ольшанецкий Евгений Борисович, 2022. - 36 с. - Текст : непосредственный.Мутилин, Сергей Владимирович. Упорядоченные массивы нанокристаллов диоксида ванадия с обратимым фазовым переходом полупроводник-металл на наноструктурах кремния : 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мутилин Сергей Владимирович, 2022. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыMahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный.Петров В.М. Исследование механизмов оптической записи информации в ПВМС и его модификациях : специальность 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук / В. М. Петров, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный.Семенов С.Л. Синтез фотохромных соединений на основе тиенопирролов : специальность 02.00.03 "Органическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. Л. Семенов, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дунаева М.А. Исследование и разработка усилителей считывания с повышенной устойчивостью к технологическому разбросу параметров транзисторов / М. А. Дунаева, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Плаксин В.Ю. Взаимодействие излучения УФ и видимого диапазонов с полимерными пленками на примере азо и бинафтил содержащих материалов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. Ю. Плаксин, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лебедев О.Н. Микросхемы памяти и их применение / О. Н. Лебедев, 1990. - 160 c. - Текст : непосредственный.Tominaga J. Optical near-field recording / J. Tominaga, T. Nakano, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Дубовик В.М. Перемагничение агрегатов магнитных частиц вихревым полем и использование тороидности для записи информации / В. М. Дубовик, М. А. Марценюк, Н. М. Марценюк, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Дикова Е.Е. Основные закономерности формирования локализованных резонансов Фано в спектрах поглощения кристаллов активированного сапфира : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Е. Дикова, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Горковенко Л.А. Запоминающие устройства ЦВК 5Э26 (ОЗУ,ЗУК) / Л. А. Горковенко, 1995. - 81 c. - Текст : непосредственный.Мякин С.В. Влияние химического модифицирования полимерных подложек лазерных дисков нанометровыми оксидными слоями на качество оптической записи информации : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук / С. В. Мякин, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.Стоянова Н.В. Разработка автоматической системы управления с пневмодемпфированием / Н. В. Стоянова, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Экслер, Алексей Борисович. Копирование и запись CD- и DVD-дисков / Алекс Экслер, 2007. - 119 с. - Текст : непосредственный.Parker D. New Riders' guide to CD-ROM / D. Parker, B. Starrett, 1994. - XIX,445 p.+Прил.CD-ROM p.+Прил.CD-ROM. - Текст : непосредственный.Гленн, К. NERO 8 : методический материал / К. Гленн, 2008. - 183 с. - Текст : непосредственный.Компьютер на флешке. Работающие Windows, Linux, офис и 150 самых полезных программ у вас в кармане / В. Д. Королев, Д. Н. Колисниченко, Д. П. Горячев, Р. Г. Прокди, 2009. - 251 с. - Текст : непосредственный.Обжелянский С.А. Разработка подсистемы автоматизации проектирования магнитных головок для устройств накопления информации : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Обжелянский, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Оптимальный профиль направляющей канавки для оптических дисков. - 18 с. - Текст : непосредственный.EDN. - Журнал. - Текст : непосредственный.DRAM:Data book, 1993. - Pag var. var. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАвилов В.И. Разработка и исследование технологических основ формирования оксидных наноразмерных структур титана методом локального анодного окисления для создания мемристоров / В. И. Авилов, 2016. - 23 с. - Текст : непосредственный.Врублевский Л.Е. Разработка конструкций и технологии промышленного производства бетэловых резисторов для высоковольтного аппаратостроения : специальность 05.09.06 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени орме науч. докл. / Л. Е. Врублевский, 1991. - 40 с. - Текст : непосредственный.Воробьев Ю.В. Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5 / Ю. В. Воробьев, 2017. - 20 с. - Текст : непосредственный.Теплов Г.С. Разработка модели искусственного нейрона с динамической функцией активации на базе мемристивных компонентов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. С. Теплов, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный.Путролайнен В.В. Бистабильное электрическое переключение в структурах на основе оксидов ванадия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / В. В. Путролайнен, 2009. - 31 с. - Текст : непосредственный.Горшков К.В. Исследование и разработка технологии создания мемристоров на основе композитных материалов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / К. В. Горшков, 2012. - 27 с. - Текст : непосредственный.Котова М.С. Резистивные переключения в органических структурах на основе модифицированной полимерной матрицы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. С. Котова, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный.Розанов Р.Ю. Исследование мемристорного эффекта в тонких пленках хлоридов меди и хрома : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Р. Ю. Розанов, 2017. - 27 с. - Текст : непосредственный.Key technologies / Rheinisch-Westfalischen Techn. Hochsch. [et al.]. Vol. 109 : Study on the electroforming and resistive switching behaviour of nickel oxide thin films for non-volatile memory applications : dissertation / R. Weng, 2015. - 159 p. - Текст : непосредственный.Бабич А.В. Исследование влияния примесей Bi, In и Ti на свойства материалов фазовой памяти на основе системы Ge-Sb-Te : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. В. Бабич, 2017. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шиколенко Ю.Л. Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Ю. Л. Шиколенко, 2016. - 35 с. - Текст : непосредственный.Механика жидкости и газа. - Журнал, 2002г. № 2. - Текст : непосредственный.Манчук Р.В. Феноменалогические основы технологии энергетических резисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.14.02, 05.23.05 / Р. В. Манчук, 2000. - 42 с. - Текст : непосредственный.Бутэ И.В. Процессы теплопроводности и диффузии в эффекте резистивного переключения с памятью в тонкопленочных оксидных структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / И. В. Бутэ, 2016. - 24 с. - Текст : непосредственный.Демин Г.Д. Исследование явлений перенос вращательного момента и спиновой нестабильности в туннельных и автоэмиссионных магнитных гетероструктурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Г. Д. Демин, 2016. - 25 с. - Текст : непосредственный.Schmidt D.O. Resistive switching of chemically synthesized TiO2 nanoparticles : dissertation / D. O. Schmidt, 2016. - IV, 156 p. - Текст : непосредственный.Егоров К.В. Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением : специальность: 01.04.04 - Физическая электроника: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / К. В. Егоров, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с.Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бобылев, Андрей Николаевич. Магнетронная технология изготовления и электрические свойства мемристора на основе смешанных оксидов металлов : специальность: 01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Бобылев Андрей Николаевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽