Полное описание
Давыдовская, Клавдия Сергеевна .
Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в карбиде кремния и деградацию приборов на его основе : специальность 1.3.11 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Давыдовская Клавдия Сергеевна ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук. - 2023. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 24-26. - 100 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592:539.16(043) 47.33 621.382:539.16(043) 47.14.21
Кл.слова (ненормированные): ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- КАРБИДКРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Доп. точки доступа: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар23-7696)
Шифр в сводном ЭК: 15a43f52c42d128ff82c8c436c086b81
Журнал технической физики / Рос. акад. наук. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Журнал выходит с 1931г. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Аморфные и микрокристаллические полупроводники : сборник трудов Международной конференции, 19-21 ноября 2018 года, Санкт-Петербург / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2018. - 303 с. - Текст : непосредственный. Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2019, С.-Петербург - Зеленогорск, 28 февраля - 4 марта 2019 года : научная программа и тезисы докладов / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2019. - 47 с. - Текст : непосредственный. Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2019, С.-Петербург - Зеленогорск, 28 февраля - 4 марта 2019 года : научные сообщения молодых ученых / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2019. - 59 с. - Текст : непосредственный. Степанов А.В. Основы практической прочности кристаллов / А. В. Степанов; [ответственный редактор академик Г. В. Курдюмов], 1974. - 132 с. - Текст : непосредственный. Бахарев Н.Н. Быстрые частицы в сферическом токамаке "Глобус-М" / Н. Н. Бахарев, 2017. - 102 с. - Текст : непосредственный. Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2018 : научная программа и тезисы докладов: 1-5 марта 2018 года, С.-Петербург - Зеленогорск / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2018. - 36 с. - Текст : непосредственный. Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2018 : научные сообщения молодых ученых: 1-5 марта 2018 года, С.-Петербург - Зеленогорск / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2018. - 55 с. - Текст : непосредственный. Физтех и советский атомный проект / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2018. - 660 с. - Текст : непосредственный. Тупицын И.И. Применение теории групп в физике твердого тела : для обучающихся по направлению Физика: учебно-методическое пособие / И. И. Тупицын, В. П. Кочерешко, 2018. - 129 с. - Текст : непосредственный. Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики : сборник трудов российской конференции, 20-22 ноября 2017 года, Санкт-Петербург / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2017. - 204 с. - Текст : непосредственный. Лодыгин А.Н. Исследование ИК преобразователя изображений на основе кремния, легированного платиной / А. Н. Лодыгин, Л. Г. Парицкий, З. Хайдаров, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный. Физика и химия стекла. - Журнал, 2002г. т. 28 № 2. - Текст : непосредственный. ФизикА.СПб : тезисы докладов международной конференции [по физике и астрономии], 22-24 октября 2019 года, [Санкт-Петербург] / Организатор ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 2019. - 575 с. - Текст : непосредственный. Физика - наукам о жизни : третья международная конференция со школой молодых ученых, 14-18 октября 2019: тезисы докладов / составители и технические редакторы: Е. А. Ефремова [и др.], 2019. - 214 с. - Текст : непосредственный. Письма в Журнал технической физики / Российская академия наук, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1975г. - Текст : непосредственный. Физика твердого тела / Российская академия наук (Москва), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1959г. - Текст : непосредственный. Оптика и спектроскопия / Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1956г. - Текст : непосредственный. Международная зимняя школа по физике полупроводников, 2020, С.-Петербург - Зеленогорск, 27 февраля - 2 марта 2020 года : научные сообщения молодых ученых / Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2020. - 66 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Демарина Н.В. Электронный транспорт в GaAs в структурах при радиационном воздействии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. В. Демарина, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ермаков В.С. Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения / В. С. Ермаков, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Бухаров В.Э. Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / В. Э. Бухаров, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный. Протопопов Г.А. Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Г. А. Протопопов, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный. Ахабаев Б.А. Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05,05.27.01 / Б. А. Ахабаев, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный. Панкратов Е.Л. Динамика процессов диффузионного типа в неоднородных, параметрических и нелинейных средах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / Е. Л. Панкратов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Фигуров В.С. Прогнозирование показателей стойкости изделий полупроводниковой электроники к воздействию импульсных ионизирующих излучений по результатам испытаний : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.05,05.27.01 / В. С. Фигуров, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный. Калинина Е.В. Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. В. Калинина, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный. Емцев К.В. Особенности процессов образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими примесями : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / К. В. Емцев, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Богатырев Ю.В. Воздействие ионизирующих излучений на структуры металл-диэлектрик-полупроводник и приборы на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 01.04.10,05.27.01 / Ю. В. Богатырев, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный. Гафуров О.В. Исследование влияния радиации на дефектообразование и электрофизические свойства полупроводниковых структур и приборов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / О. В. Гафуров, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Таперо К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. И. Таперо, 1996. - 22 с. - Текст : непосредственный. Дмитриевский А.А. Микромеханические свойства полупроводников, облученных малыми дозами бета-частиц : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Дмитриевский, 2013. - 34 с. - Текст : непосредственный. Давыдов Д.В. Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. В. Давыдов, 2003. - 22 с. ил. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
