Полное описание

Влияние сопротивлений электродных шин в массиве кроссбар-мемристоров на разброс их характеристик / А. И. Ильясов, К. Э. Никируй, А. В. Емельянов [и др.]. - DOI 10.56304/S2782375X22010144. - Текст : непосредственный // Вестник Военного инновационного технополиса "ЭРА". - 2022. - Том 3, N 1. - С. 52-56. - Библиогр. в конце ст. - ISSN 2782-375X.

ГРНТИ	УДК
28.23.37	004.032.26
47.33.37	621.38-022.532

Рубрики:
Нейронные сети
Наноэлектроника

Кл.слова (ненормированные): мемристоры -- нейроморфные вычисления -- память-резисторы -- энергоэффективность -- резистивные переключения -- кроссбар-архитектура -- нейронные сети -- нейроны -- физические аналоги синапсов -- аппаратные нейроморфные системы
Аннотация: Применение мемристоров в качестве физических аналогов синапсов в аппаратных нейроморфных вычислительных системах – многообещающий способ повышения их энергоэффективности. При этом для реализации систем, решающих сложные когнитивные задачи, необходимо большое количество плотно упакованных мемристоров, что на практике достигается созданием их массивов в кроссбар-архитектуре. Изучены резистивные переключения в мемристивных структурах на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100 – x, созданных в кроссбар-архитектуре с относительно тонкими шинами (не более 100 нм), обнаружено заметное влияние сопротивления шин кроссбар-элементов на разброс их характеристик, а также предложен способ решения этой проблемы. Полученные результаты могут быть использованы в дальнейшей разработке массивов кроссбар-мемристоров для нейроморфных применений.
Доп. точки доступа:
Ильясов, Александр Игоревич
Никируй, Кристина Эрнестовна
Емельянов, Александр Валентинович
Черноглазов, Константин Юрьевич
Рыльков, Владимир Васильевич


Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -831193-134794)

Шифр в сводном ЭК: 1b3a08f23320926489741b1c31aff37d

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽