ГПНТБ России - Полное описание

Полное описание

Мочалов, Леонид Александрович. Плазмохимический синтез тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и халькогенидов систем As(S, Se, Te) и As-Se-Te : 2.6.7. Технология неорганических веществ, 2.6.17. Материаловедение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук / Мочалов Леонид Александрович ; Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева. - 2023. - 30 с. : ил. - Библиогр.: с. 26-30. - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.23(043)
47.33.33	621.383-03-047.84(043)

Кл.слова (ненормированные): ИК-ОПТИКА -- МАТЕРИАЛЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ -- НЕОРГАНИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ОКСИДЫ ГАЛЛИЯ -- ОКСИДЫ ЦИНКА -- ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ СЛОИ -- ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
Доп. точки доступа:
Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева (Москва)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар23-3733)

Шифр в сводном ЭК: 3b7bebc9e09014ba72ad4a22c2373dd6

Мочалов, Леонид Александрович. Плазмохимический синтез тонких пленок халькогенидов мышьяка и их модификация фемтосекундным лазером : учебное пособие / Мочалов Л. А., Логунов А. А., Воротынцев В. М., 2020. - 130 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Мочалов, Леонид Александрович. Плазмохимический синтез тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и халькогенидов систем As(S, Se, Te) и As-Se-Te : 2.6.7. Технология неорганических веществ, 2.6.17. Материаловедение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук / Мочалов Леонид Александрович, 2023. - 30 с. - Текст : непосредственный.Плазмохимический синтез, исследование и применение тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и бинарной оксидной системы ZnO-TeO₂ : монография / Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, А. В. Князев [и др.], 2024. - 211 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Мочалов, Леонид Александрович. Плазмохимический синтез тонких пленок халькогенидов мышьяка и сульфида галлия : монография / Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, Е. А. Слаповская, 2024. - 159 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.

Мочалов, Леонид Александрович. Плазмохимический синтез тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и халькогенидов систем As(S, Se, Te) и As-Se-Te : 2.6.7. Технология неорганических веществ, 2.6.17. Материаловедение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук / Мочалов Леонид Александрович, 2023. - 30 с. - Текст : непосредственный.

Показать все результаты

Показать все результаты

Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Нефедов А.С. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. С. Нефедов, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Борисова И.В. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. В. Борисова, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сысоев И.А. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / И. А. Сысоев, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Дерягин Н.Г. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. Г. Дерягин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Tolksdorf R. Synthese und Erprobung neuer Precursoren fur die CVD-Abscheidung von III/V-Halbleitern / R. Tolksdorf, 1997. - 104 S. - Текст : непосредственный.Савченко В.А. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Савченко, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ашуров Х.Б. Формирование пленок и эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках при осаждении из ионно-молекулярных потоков : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Ашуров, 1994. - 25 с. - Текст : непосредственный.

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Худайбергенов Г.Ж. Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / Г. Ж. Худайбергенов, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Кидяров Б.И. Механизм, кинетика образования и выращивание нелинейных кристаллов для оптоэлектроники : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07, 02.00.04 / Б. И. Кидяров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Мурашова А.В. Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Мурашова, 2002. - 17 с. - Текст : непосредственный.Туленин С.С. Гидрохимическое осаждение пленок In₂S₃, In₂Se₃ и халькопиритных структур на их основе : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / С. С. Туленин, 2015. - 24 с. - Текст : непосредственный.Катышева А.С. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PbSeyS1- y: состав, структура, свойства y : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / А. С. Катышева, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.

Показать все результаты

Заказ фрагмента документа ₽

Полное описание

Автор4

Заглавие1

Коллектив/Мероприятие656

Тематический рубрикатор (ГРНТИ)4511

УДК/ББК68

Номер журнала - Статьи1