Приложение
для AndroidПолное описание
Ломашов, Иван Павлович. Германий в ископаемых углях / И. П. Ломашов и Б. И. Лосев ; Академия наук СССР, Государственный комитет Совета Министров СССР по топливной промышленности, Институт геологии и разработки горючих ископаемых. - Москва : Изд-во Академии наук СССР, 1962. - 257, [1] с. : ил. - Библиогр.: с. 249-253 (104 назв.). - 3000 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 38.33.15 | 550.42:546.289 | |
| 47.09.29 | 621.315.592-047.84 |
Рубрики:
Германий -- Геохимия
Германий -- Производство
Кл.слова (ненормированные): МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ -- НЕОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- РАСПРОСТРАНЕНИЕ В ПРИРОДЕ -- РАСПРОСТРАНЕНИЕ В УГЛЯХ -- ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Аннотация: В книге приведены основные сведения о химических и физических свойствах германия, распространении его в углях и других природных образованиях, о методах анализа, промышленных способах получения, применении и некоторых других свойствах. Книга рассчитана на широкий круг специалистов: геологов, химиков, металлургов, технологов и других, работа которых в той или иной степени связана с сырьем для получения германия.
Доп. точки доступа:
Лосев, Борис Иванович
Институт геологии и разработки горючих ископаемых
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д1/75832)
Шифр в сводном ЭК: 0dd49726527c7bb9cbdad15c4d05276a
Лосев, Борис Иванович. Твердый бензин : (транспорт, хранение и применение) / Б. И. Лосев, М. С. Комский, М. А. Троянская, 1959. - 88, [2] с. - Текст : непосредственный.Ломашов, Иван Павлович. Германий и кремний - важнейшие полупроводниковые материалы / И. П. Ломашов, 1960. - 51, [3] с. - Текст : непосредственный.Лосев, Борис Иванович. Обработка и сборка деталей из пластических масс : (обзор) / докт. техн. наук, проф. Б. И. Лосев, К. Н. Стрельцов; под редакцией инж. А. Л. Печенкина и инж. В. А. Брагинского, 1960. - 75, [1] с. - Текст : непосредственный.Ломашов, Иван Павлович. Германий в ископаемых углях / И. П. Ломашов и Б. И. Лосев, 1962. - 257, [1] с. - Текст : непосредственный.
Гидрогеологические условия формирования и размещения нефтяных и газовых месторождений Волго-Уральской области, 1973. - 279 с. - Текст : непосредственный.Жузе Т.П. Сжатые газы как растворители / Т. П. Жузе; [отв. ред. Г. Д. Гальперн], 1974. - 109, [2] с. - Текст : непосредственный.Ломашов, Иван Павлович. Германий в ископаемых углях / И. П. Ломашов и Б. И. Лосев, 1962. - 257, [1] с. - Текст : непосредственный.Малинин, Сергей Иванович. Вторичные изменения пород, вмещающих ископаемые угли / С. И. Малинин, 1963. - 131, [1] с. - Текст : непосредственный.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Глюк Д.С. Экспериментальные исследования водно-силикатных систем с золотом / Д. С. Глюк, 1994. - 117 c. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Юдович Я.Э. Геохимия и рудогенез урана в черных сланцах / Я. Э. Юдович, М. П. Кетрис, А. В. Мерц, 1990. - 67 с. - Текст : непосредственный.Юдович Я.Э. Геохимия и рудогенез золота в черных сланцах / Я. Э. Юдович, М. П. Кетрис, А. В. Мерц, 1990. - 61 с. - Текст : непосредственный.Юдович Я.Э. Геохимия и рудогенез ванадия в черных сланцах / Я. Э. Юдович, М. П. Кетрис, А. В. Мерц, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Нестеренко Г.В. Геохимия дифференцированных траппов (Сибирская платформа), 1973. - 197 с. - Текст : непосредственный.Рехарский В.И. Геохимия молибдена в эндогенных процессах, 1973. - 268 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЮдович Я.Э. Германий в углях / Я. Э. Юдович, М. П. Кетрис, 2004. - 214 с. - Текст : непосредственный.Дорфман В.Ф. Газофазная микрометаллургия полупроводников, 1974. - 190 с. - Текст : непосредственный.Мильвидский М.Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия) / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров, 1974. - 391 с. - Текст : непосредственный.Оксидные полупроводники в технологии тонкопленочных транзисторов : учебное пособие для обучающихся по техническим направлениям бакалавриата / Министерство образования и науки Российской Федерации, Петрозаводский государственный университет, 2017. - 20 с. - Текст : непосредственный.Куликов И.Н. Методика повышения эффективности использования кластерного оборудования в полупроводниковом производстве на основе имитационных моделей потоков полуфабрикатов : 05.13.06 - Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (машиностроение): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / И. Н. Куликов, 2019. - 17 с. - Текст : непосредственный.Колесников Н.Н. Физико-химические и технологические основы получения кристаллов халькогенидов металлов, содержащих летучие компоненты : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / Н. Н. Колесников, 2017. - 50 с. - Текст : непосредственный.IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing / Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY), Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY). - Журнал выходит с 1988г. r=on-line. - Текст : электронный.Корулин А.В. Радиационно-физические процессы и ядерное легирование нитрида галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. В. Корулин, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве : учеб. пособие / О. С. Моряков, 1974. - 141 с. - Текст : непосредственный.Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.]; под общ. ред. Р. В. Конаковой, 2008. - 390 с. - Текст : непосредственный.Беспалов А.В. Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. В. Беспалов, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 145-146 : Ultra clean processing of semiconductor surfaces IX : 9th Intern. symp. on ultra clean processing of semiconductor surfaces (UCPSS) held in Bruges, Belgium, Sept. 22-24, 2008 / International symposium on ultra clean processind of semiconductor surfaces (UCPSS) (9th; 2008; Bruges), 2009. - XVI, 400 p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 131-133 : Gettering and defect engineering in semiconductor technology XII-GADEST 2007 : proc. of the 12th Intern. autumn meet. EMFCSC, Erice, Italy, Oct. 14-19, 2007 / International autumn meeting "Gettering and defect engineering in semiconductor technology-GADEST 2007" (12th; 2007; Erice), 2008. - XV, 642 p. - Текст : непосредственный.Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Под ред. К.А. Джексона, В. Шретера; Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Т. 2 : Технологические процессы, 2011. - 908 с. - Текст : непосредственный.Thermal Sensors. Principles and Applications for Semiconductor Industries / ed. Chandra Mohan Jha, 2015 r=on-line. - Текст : электронный.Александров С.Е. Технология полупроводниковых материалов : учеб. пособие / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков, 2012. - 230 с. - Текст : непосредственный.Технологии получения широкозонных материалов, гетероструктур, диодов на основе карбида кремния и расчет их характеристик : монография / В. И. Алтухов, А. В. Санкин, Р. Х. Дадашев [и др.], 2019. - 104 с. - Текст : непосредственный.Баринов А.Д. Физика и технология неупорядоченных полупроводников : практикум для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и наноэлектроника" / А. Д. Баринов, В. А. Воронцов, Д. А. Зезин, 2018. - 92 с. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Vol. 573-574 : Rapid thermal processing and beyond: applications in semiconductor processing : select. papers from RTP specialists all over the world, Dornstadt, Germany / ed.: W. Lerch, J. Niess, 2008. - XVI, 432 p. - Текст : непосредственный.Pearton S.J. Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics / S. J. Pearton, F. Ren, C. R. Abernathy, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽