Приложение
для AndroidПолное описание
Косолобов, Сергей Сергеевич. Высокотемпературные атомные процессы на границе раздела кремний-вакуум при сублимации, эпитаксии, термическом травлении кислородом и осаждении золота : специальность 1.3.8. "Физика конденсированного состояния": автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Косолобов Сергей Сергеевич ; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Сколковский институт науки и технологий. - 2022. - 26 с. - Библиогр.: с. 22-26. - 120 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:532.6(043) |
Кл.слова (ненормированные): АТОМНЫЕ РЕАКЦИИ -- ДИФФУЗИЯ -- КИНЕТИКА ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ -- ПОВЕРХНОСТИ -- ПРИМЕСИ ЗАМЕЩЕНИЯ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
Доп. точки доступа:
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
Сколковский институт науки и технологий (Москва)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар23-1956)
Шифр в сводном ЭК: ebf62a2f2b2f8e160462bf1398c00ef0
Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2014. - 843 с.Фотоника 2017 / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), 2017. - 200 с. - Текст : непосредственный.Гриценко В.А. Физика диэлектрических пленок. Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти / В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, 2017. - 351 с. - Текст : непосредственный.Харрис П. Углеродные нано-трубки. Синтез, свойства и применение / П. Харрис; пер. с англ. В. М. Ефимова; под ред. А. В. Двуреченского, 2016. - 220 с. - Текст : непосредственный.Перспективные технологии для авиационной промышленности : аналитический обзор / К. И. Сыпало [и др.]; [ред.: И. К. Ужинский и др.], 2017. - 462, [1] с. - Текст : непосредственный.Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2012. - 257 с. - Текст : непосредственный.Наука из первых рук : периодический научно-популярный журнал / Российская Академия Наук. Сибирское отделение, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск), Институт нефтегазовой геологии и геофизики им. А. А. Трофимука (Новосибирск). - Журнал выходит с 2004г. - Текст : непосредственный.Свиташёва С.Н. Метод эллипсометрии для исследования наноразмерных пленок диэлектриков, полупроводников и металлов / С. Н. Свиташёва; ответственный редактор О. П. Пчеляков, 2019. - 261, [6] с. - Текст : непосредственный.Гутаковский А.К. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах / А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, А. Л. Чувилин, 2016. - 261 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника / ФАНО России, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2017. - 182 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. - 244 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Асеев, Александр Леонидович. Наука Сибири на изломе эпох : заметки участника событий / А. Л. Асеев, 2021. - 303 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Астанкова, Ксения Николаевна. Получение плёнок метастабильного GeO и их модификация зондом атомно-силового микроскопа и лазерным облучением : 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Астанкова Ксения Николаевна, 2021. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кожухов, Антон Сергеевич. Модификация свойств поверхности полупроводников при воздействии зондом атомно-силового микроскопа : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кожухов Антон Сергеевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.Милахин, Денис Сергеевич. Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Милахин Денис Сергеевич, 2021. - 32 с. - Текст : непосредственный.Круглик, Станислав Александрович. Коды для локального и конфиденциального восстановления информации : специальность 05.13.17 - "Теоретические основы информатики": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Круглик Станислав Александрович, 2021. - 23 с. - Текст : непосредственный.Фролов, Алексей Андреевич. Построение и исследование кодов со свойствами локальности : 05.13.17 - Теоретические основы информатики: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Фролов Алексей Андреевич, 2021. - 40 с. - Текст : непосредственный.Гайдук, Алексей Евгеньевич. Мультирезонансные поляризационные системы на основе метаповерхностей : 01.04.07 - физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Гайдук Алексей Евгеньевич, 2021. - 18, [1] с. - Текст : непосредственный.Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный.Костюченко, Татьяна Сергеевна. Исследование многокомпонентных сплавов при помощи машинно обучаемых потенциалов : специальность 02.00.04 - Физическая химия: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Костюченко Татьяна Сергеевна, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПаулиш А.Г. Исследование электронных свойств поверхности эпитаксиального арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Г. Паулиш, 1994. - Текст : непосредственный.Еремеев С.В. Электронные свойства поверхностей металлов, полупроводников, диэлектриков со структурными дефектами, адсорбатами и тонкими пленками : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. В. Еремеев, 2009. - 31 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов М.Б. Фотопроцессы на поверхности нанопористого кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. Б. Кузнецов, 2001. - 15 с. - Текст : непосредственный.Косолобов С.С. Структура и морфология поверхности кремния (111) при адсорбции кислорода и золота / С. С. Косолобов, 2008. - 17 с. - Текст : непосредственный.Латышев А.В. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. В. Латышев, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный.Фроленкова Л.Ю. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. Ю. Фроленкова, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Олянич Д.А. Исследование адсорбции In, Al, Co, Cu и Au на реконструированных поверхностях Si(100) и Si(111) / Д. А. Олянич, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Гордеева А.Б. Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs / А. Б. Гордеева, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Федяева О.А. Обратный адсорбционный пьезоэлектрический эффект в полупроводниковых материалах CdTe, CdHgTe : автореф. дис. .. д-ра хим. наук: 02.00.04 / О. А. Федяева, 2014. - 32 с. - Текст : непосредственный.Гусейнов Э.К. Разогрев электронов излучением и поверхностные явления в узкозонных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Э. К. Гусейнов, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный.Грошев Г.Е. Исследование границы раздела Si(111) SiO2 в кластерном приближении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.40.10 / Г. Е. Грошев, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный.Казанцев Д.В. Ближнепольная микроскопия локального оптического отклика поверхности SiC и полупроводниковых наноструктур на основе Si, GaAs и InP : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05 / Д. В. Казанцев, 2006. - 47 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / Т. Н. Филатова, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный.Яфясов А.М. Электронные свойства областей пространственного заряда на поверхности узкощелевых и бесщелевых полупроводников и полуметаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. М. Яфясов, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Schneider R. Streuung hochfrequenter akustischer Phononen an Silizium(100)-Oberflachen mit aufkondensierten Adsorbaten : Diss. / R.Schneider, 1992. - 158 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽