Приложение
для AndroidПолное описание
2000 год : В основе лежит физика IT. - 2001. - 1 л. : цифровая печать ; 82 x 59 см. - Доп. лит. в нижней части плаката
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.01.21 | 06.05NOBEL:53(084.5) | |
| 47.09.29 | 621.315.592.9-022.532(084.5) | |
| 47.33.31 | 621.3.049.77(084.5) |
Рубрики:
Физика -- Нобелевские премии
Гетероструктуры
Наногетероструктуры полупроводниковые
Интегральные схемы
Кл.слова (ненормированные): ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМОТЕХНИКА -- ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- КОММУНИКАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- МАТЕРИАЛЫ С ЗАДАННЫМИ СВОЙСТВАМИ -- ОПТОЭЛЕКТРОНИКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Аннотация: Шведская королевская Академия наук присудила Нобелевскую премию по физике за 2000 год за работы, положившие основу современным информационным технологиям. Половина премии присуждена совместно Жоресу И. Алфёрову, Россия, и Герберту Крёмеру, США, за развитие полупроводниковых гетероструктур, применяемых в высокоскоростной и оптоэлектронике, а вторая половина - Джеку С. Килби за его вклад в открытие интегральной схемы.
Доп. точки доступа:
Алфёров, Жорес Иванович\ о нем\
Крёмер, Герберт\ о нем\
Килби, Джек\ о нем\
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): П/1358/2000)
Шифр в сводном ЭК: 857fdcec41161b47dedc11796ecd72f4
Жорес Алфёров / авторы-составители: В. Л. Радзиевский, А. Ф. Емельяненков; художественные фотографии: С. Г. Новиков, 2020. - 229, [2] с. - Текст (визуальный) : непосредственный + Изображение (визуальныйдвухмерное) : непосредственное.Нобелевская премия по физике за.. : [серия : плакат]. 2000 год : В основе лежит физика IT, 2001. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.Калитка имени Алфёрова : 95 историй от Нобелевского лауреата, рассказанных Аркадию Соснову / [автор-составитель А. Я. Соснов], 2025. - 262, [4] с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Венцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков, 1994. - 164 c. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Чураев С.О. Встраиваемые системы контроля параметров интегральных схем пикосекундного разрешения / С. О. Чураев, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Special issue on high-speed circuits : материалы временных коллективов / Ed.: M. Mokhtari, M. G. Stubbs. - 1095-1210 p. p. - Текст : непосредственный.Papers presented at the 12th IEEE VLSI test symposium,1994 / VLSI test symposium (12 ; 1994 ; New York) , 1995. - 529-649 p. p. - Текст : непосредственный.Курейчик В.М. Контролепригодное проектирование и самотестирование СБИС: проблемы и перспективы / В. М. Курейчик, С. И. Родзин, 1994. - 174 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗахаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Программы для ЭВМ.Базы данных.Топологии интегральных микросхем : Инфомац.бюллетень офиц.регистрации / Рос.агентство по правовой охране программ для ЭВМ,баз данных и топологий интегральных микросхем(РосАПО). Вып. 2(20), 1997. - 118 с. - Текст : непосредственный.Тимошенков В.П. Элементная база систем связи : учеб. пособие / В. П. Тимошенков, А. А. Миндеева, 2015. - 224 с. - Текст : непосредственный.Игнатов А.Н. Автоматизированный выбор перспективных типов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. Н. Игнатов, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.IC data flash service : New IC information from Japanese manufacturers. 1990/7, S.a. - 399 p. - Текст : непосредственный.IC data flash service : New IC information from Japanese manufacturers. 1990/8, S.a. - 362 p. - Текст : непосредственный.Berichte / Hahn-Meitner-Inst. B 611 : Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts : Diss. / L. Korte, 2006. - II, 170 S. - Текст : непосредственный.Ивашенков О.Н. Физические основы схемотехники : учебное пособие / О. Н. Ивашенков, 2008. - 135 с. - Текст : непосредственный.Demel Th. Ein-und nulldimensionale elektronische Systeme in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen / Th. Demel, 1990. - 120 S. - Текст : непосредственный.Кутвицкий В.А. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих оксидных фаз и их использование в целях аналитического контроля. Ч. 2 : Гетероструктуры на основе висмутсодержащих стекловидных фаз и их использование в качестве образцов сравнения / В. А. Кутвицкий [и др.], 2013. - 151 с. - Текст : непосредственный.Dahmen M. Untersuchungen des Elektronentransports in Ge/GaAs-Heterostrukturen / M. Dahmen, 1993. - 112 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Нобелевская премия по физике за.. : [серия : плакат]. 2004 год : Цветная связь, 2005. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.Нобелевская премия по физике за.. : [серия : плакат]. 2003 год : Холодные потоки без сопротивления, 2003. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.Нобелевская премия по физике за.. : [серия : плакат]. 2001 год : Атомы, поющие в унисон, 2002. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.Нобелевская премия в области физики за.. : [серия : плакат]. 2006 год : Первый свет во Вселенной, 2007. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.Нобелевская премия в области физики за.. : [серия : плакат]. 2005 год : Два лика света, 2007. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.Нобелевская премия по физике за.. : [серия : плакат]. 2000 год : В основе лежит физика IT, 2001. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.Нобелевская премия в области физики за.. : [серия : плакат]. 2007 год : Магнитный сэндвич - революция в информационных технологиях, 2008. - 1 л. - Изображение (неподвижное) : непосредственное.
Заказ фрагмента документа ₽