• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Матвеев, Даниил Юрьевич. Избранные главы физики конденсированного состояния (теория полупроводников) : учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям бакалавриата: 03.03.02 Физика (профили "Физика конденсированного состояния", "Инженерная физика"), 11.03.04 Электроника и наноэлектроника (профиль "Инжиниринг аналоговых и цифровых сложно функциональных систем"), 22.03.01 Материаловедение и технологии материалов (профиль "Материаловедение и технологии материалов в твердотельной электронике"; для студентов, обучающихся по направлениям магистратуры: 03.04.02 Физика (программа "Физика конденсированного состояния вещества") / Д. Ю. Матвеев ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Астраханский государственный университет имени В. Н. Татищева. - Астрахань : Издатель Сорокин Роман Васильевич, 2022. - 152 с. : ил. - Библиогр.: с. 149-150 (19 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-00201-056-1. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.332

    Рубрики:
    Полупроводники

    Кл.слова (ненормированные): ДИФФУЗИЯ И ДРЕЙФ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА -- КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- ОПТИЧЕСКАЯ ГЕНЕРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ -- ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
    Аннотация: Учебное пособие "Избранные главы физики конденсированного состояния (теория полупроводников)" содержит как теоретический материал, так и задания для практического освоения. Пособие предназначено преимущественно для студентов, обучающихся по направлению "Физика", а также может быть полезно для студентов направлений "Электроника и наноэлектроника" и "Материаловедение и технологии материалов". В учебном пособии подробно рассмотрено понятие собственных, примесных, вырожденных и невырожденных полупроводников, отличительные особенности равновесных и неравновесных носителей заряда, подробно изложены вопросы, касающиеся теории контактных явлений, диффузии и дрейфа носителей в полупроводниках, а также физики кинетических разностных эффектов в полупроводниках, что является немаловажным аспектом и своего рода базой для дальнейшего изучения современных физических и технических дисциплин.
    Доп. точки доступа:
    Астраханский государственный университет имени В. Н. Татищева

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д11-22/12618)

    Шифр в сводном ЭК: 8125b1fd53f9b96d58c2369a5966540c



    Заказ фрагмента документа ₽