• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Шевченко, Глеб Михайлович. Неквазистатическое моделирование импульсных полупроводниковых приборов : монография / Г. М. Шевченко, Э. В. Семенов ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт сильноточной электроники СО РАН. - Томск : Изд-во ТУСУРа, 2022. - 49 с. : ил. - Библиогр.: с. 44-47 (34 назв.). - 100 экз. - ISBN 978-5-86889-987-4. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.33621.382-047.58
    47.41.37621.374:621.382-047.58

    Рубрики:
    Полупроводниковые приборы -- Моделирование
    Импульсные устройства полупроводниковые -- Моделирование

    Кл.слова (ненормированные): P-N ПЕРЕХОД -- НЕКВАЗИСТАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ -- ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ПРОЕКТИРОВАНИЕ -- РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА
    Аннотация: Представлена нелинейно-инерционная модель р-n-перехода, предназначенная для повышения качества моделирования радиоэлектронных устройств путем получения существенно меньшей погрешности моделирования относительно квазистатической модели за счет реализации зависимости последовательного сопротивления потерь от диффузионного заряда и времени жизни неравновесных носителей заряда от прямого тока. Для широкого круга специалистов - научных сотрудников, инженеров, работающих в области проектирования радиоэлектронной аппаратуры, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области радиотехники, промышленной и физической электроники.
    Доп. точки доступа:
    Семенов, Эдуард Валерьевич
    Институт сильноточной электроники (Томск)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д11-22/8947)

    Шифр в сводном ЭК: 59e344b581875790c03dbd94c495016e



    Заказ фрагмента документа ₽