• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Андреева, Наталья Владимировна. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : 01.04.10 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Андреева Наталья Владимировна ; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина), Кафедра микро- и наноэлектроники. - Санкт-Петербург, 2022. - 34 с. : ил. - Библиогр.: с. 30-34. - 100 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    50.11004.33.076.4(043)
    47.59.33621.316.86(043)
    28.23.37004.032.26(043)

    Кл.слова (ненормированные): ИСКУССТВЕННЫЕ НЕЙРОННЫЕ СЕТИ -- МЕМРИСТИВНЫЕ СТРУКТУРЫ -- МЕМРИСТОРЫ -- МНОГОУРОВНЕВОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ -- НЕЙРОМОРФНЫЕ ПРОЦЕССОРЫ -- РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ
    Доп. точки доступа:
    Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). Кафедра микро- и наноэлектроники

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар22-6414)

    Шифр в сводном ЭК: 55c52b31c19f763a13721c8f45f33a7a



    Заказ фрагмента документа ₽