Приложение
для AndroidПолное описание
International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo). Papers selected from presentations at the 5th international symposium... held in Tokyo,Oct.2-4,1996 / International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo) ; Ed. T. Hattori. - New York : [s. n.], 1998. - 172 p. : ill. - (IEEE transactions on semiconductor manufacturing, ISSN 0894-6507 ; 1998,Vol.11,N 1). - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце статей
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592.002(063) | |
| 621.382.002(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Обработка -- Съезды и конференции
Полупроводниковые приборы -- Производство -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Hattori, T.\ed.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): W10554/1998,Vol.11,N 1)
Шифр в сводном ЭК: a5513661b87f65e38faf4d22f659dfb6
Papers selected from presentations at the 5th international symposium.. held in Tokyo,Oct.2-4,1996 / International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo) , 1998. - 172 p. - Текст : непосредственный.Yajima M. Liberalisation of electricity markets and national energy security / M.Yajima,J.Drillisch,T.Hattori, 2000. - III,30 p. p. - Текст : непосредственный.Hattori T. empirical analysis of the transition to retail competition in the U.S. electricity industry / T.Hattori,R.J.Graniere, 2001. - 90 p. - Текст : непосредственный. Hattori T. CRIEPI multisectoral model of the Japanese economy / T.Hattori,N.Sakurai, 1991. - 23 p. - Текст : непосредственный. Hattori T. The CRIEPI quarterly macroeconometric model of the japanese economy / T.Hattori,O.Kadota,K.Kojima, 1994. - II,18 p. p. - Текст : непосредственный.Liberalisation of the electricity supply industry and security of supply / M.Yajima,J.Drillisch,I.Hensing,T.Hattori, 1998. - VI,49 p. p. - Текст : непосредственный.Constructive and destructive two-pulse excitation observed with a white-light Michelson interferometer / T.Fuji,S.Alam,T.Hattori,H.Nakatsuka, 1997. - 14 kol. - Текст : непосредственный.
Papers selected from presentations at the 5th international symposium.. held in Tokyo,Oct.2-4,1996 / International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo) , 1998. - 172 p. - Текст : непосредственный.
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing / Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY), Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY). - Журнал выходит с 1988г. r=on-line. - Текст : электронный.Special section on 1997 International workshop on statistical metrology, Kyoto, 1997 / International statistical metrology workshop (2 ; 1997 ; Kyoto) , 1998. - 525-695 p. p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыPapers selected from presentations at the 5th international symposium.. held in Tokyo,Oct.2-4,1996 / International symposium on semiconductor manufacturing (5th ; 1996 ; Tokyo) , 1998. - 172 p. - Текст : непосредственный.Crucial issues in semiconductor materials and processing technologies : материалы временных коллективов / Ed. S. Coffa, 1992. - XIX,538 p. p. - Текст : непосредственный.RTP 2001 : 9th Intern. conf. on advanced thermal processing of semiconductors, Sept.25-29, 2001, Hilton Anchorage, Alaska / Ed. D. P. DeWitt, 2001. - 326 p. - Текст : непосредственный.Spectroscopic characterization techniques for semiconductor technology III : Proc.of the conf.,14-15 Mar.1988,Newport Bearch(Ca) / Ed. O. J. Glembocki, 1988. - VIII,234 p. p. - Текст : непосредственный.Solid state phenomena. Vol. 134 : Ultra clean processing of semiconductor surfaces VIII : sel., peer rev. papers from the 8th Intern. symp. on ultra clean proc. of semiconductor surfaces (UCPSS), held in Antwerp, Belgium, Sept. 18-20, 2006 / International symposium on ultra clean processind of semiconductor surfaces (UCPSS) (8th; 2006; Antwerp), 2008. - XIV, 390 p. - Текст : непосредственный.Rapid isothermal processing : Proc. of the meet., 12-13 Oct.1989,Sants Clara(Ca) / Ed. R. Singh, 1990. - VI,204 p. p. - Текст : непосредственный.The 10th annual SEMATECH surface preparation and cleaning conference, Apr. 1-2, 2008, Austin, Texac, USA / Surface preparation and cleaning conference (10th ; 2008 ; Austin, Tx) , 2009. - IV, 121-205 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on dry process, Oct. 22-23, 1987, Honolulu / Symposium on dry process (9 ; 1987 ; Honolulu) , 1988. - VIII, 347 p. 347 p. - Текст : непосредственный.Sub-quarter-micron silicon issues in the 200/300 mm conversion Era: Proc.of the E-MRS IUMRS ICEM 2000 meet., Symp.L / Ed. H. FuSstetter, 2001. - VII, 232 p. 232 p. - Текст : непосредственный.Colloquium on GaAs on Si: Digest, 28 Mar. 1988, London / Org.by Professional group E3 with the Inst.of physics., 1988. - Pag.var. - Текст : непосредственный.