Полное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Залетин В.М. Вакуумно-термическое получение тонких пленок : выставочные материалы / В. М. Залетин, А. Н. Васина, 2014. - 63 с. - Текст : непосредственный.Дроздов В.И. Единая теория гравитационного, электромагнитного и спинорного взаимодействий и поля Янга-Миллса / В. И. Дроздов, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный.Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный.Сильвестров П.Г. Vortices in a cylinder: localization after depinning / П. Г. Сильвестров, 1998. - 11 p. - Текст : непосредственный.Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Ильичев В.И. Высокотемпературная сверхпроводимость керамических систем / В. И. Ильичев, М. А. Савченко, А. В. Стефанович, 1992. - 166 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника высоких давлений : Науч.журн. / АН Украины. Донецкий физико-техн. ин-т. - Журнал. - Текст : непосредственный.Шестопал В.Е. Многопараметрические модели случайных блужданий в решетчатых неупорядоченных системах / В. Е. Шестопал, 1998. - 10 с. - Текст : непосредственный.Кукушкин С.А. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): механизмы образования тонких пленок / С. А. Кукушкин, В. В. Слезов, 1996. - 309 с. - Текст : непосредственный.Рябов В.А. Эффект каналирования / В. А. Рябов, 1994. - 240 c. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Гречишкин В.С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах, 1973. - 263 с. - Текст : непосредственный.Гезехус Н.А. Основы электричества и магнетизма : монография / Н. А. Гезехус, 1900. - 297 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Шабанова Н.П. Измерение верхнего критического магнитного поля сверхпроводников NbзSn, MBa CuзO (M: Y, Ho, Gd) / Н. П. Шабанова, 1990. - 10 p. - Текст : непосредственный.Белоколос Е.Д. Двухзонное приближение в теории распределенного джозефсоновского перехода / Е. Д. Белоколос, А. М. Коростиль, В. Э. Энольский, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Белоколос Е.Д. О способах описания пика Экка-Скалапино-Тейлора на вольт-амперных характеристиках джозефсоновских контактов / Е. Д. Белоколос, О. Ю. Сафронков, 1990. - 28 с. - Текст : непосредственный.Electronic properties of high-Tc superconductors and related compounds : материалы временных коллективов / Ed.by H. Kuzmany, 1990. - XIII,416 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыNeuffer A. Diagnostik und Modellierung einer planaren Magnetron-Sputterquelle / A. Neuffer, 1999. - 113 S. - Текст : непосредственный.Майоров А.А. Разработка аппаратуры молекулярно-лучевой эпитаксии для научных исследований и технологий : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / А. А. Майоров, 1993. - 42 с. - Текст : непосредственный.
Капустин Е.Н. Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумных систем и эксплуатационных характеристик промышленного оборудования тонкопленочных технологий : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Н. Капустин, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный.Клюенков Е.Б. Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Е. Б. Клюенков, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ozoguz Y. Zur Schichtkristallisation als Schmelzkristallsationsverfahren : Diss. / Y.Ozoguz, 1992. - 233 S. - Текст : непосредственный.Шведов Е.В. Формирование дискретных и компактных нанокристаллических структур при вакуумной конденсации из одно- и двухкомпонентной паровой фазы : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Е. В. Шведов, 2006. - 33 с. - Текст : непосредственный.Шулунов В.Р. Плазменные источники распыляющих ионов на основе открытых разрядов низкого давления в магнитном поле с холодным катодом : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.14 / В. Р. Шулунов, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный.Шевчук С.Л. Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / С. Л. Шевчук, 2002. - 22 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.О. Динамика поверхностного слоя монокристаллических подложек при газоразрядном напылении пленок : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. О. Пономаренко, 2010. - 24 с. - Текст : непосредственный.Осипов А.В. Кинетика зарождения тонких пленок из газовой фазы на твердых подложках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени кад.физ.-мат.наук:01.02.04:01.04.07 / А. В. Осипов, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Баранова Л.В. Состав, структура и оптические свойства пленок кремния, полученных методом струйного плазмохимического осаждения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.02.05 / Л. В. Баранова, 2016. - 23 с. - Текст : непосредственный.Шестопалов М.Ю. Разработка моделей и алгоритмов управления технологическим процессом нанесения пленок в вакууме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.07 / М. Ю. Шестопалов, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽