Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Sanchez-Espinoza V.H. Validation of the reflood model of the RELAP5/MOD3.2.2 gamma usingexperimental data from the integral facility LOFT LP-LB-1 / V. H. Sanchez-Espinoza, 2001. - 39 p. - Текст : непосредственный.Engelko A. Optimierungsregeln fur Halbleiteroffnungsschalter in Hochspannungspulsgeneratoren sehr hoher Leistung : сборник научных трудов / A. Engelko, 2002. - 109 S. - Текст : непосредственный.Hofmann H. XCharge - ein Programm zur Berechnung der Schichtladungsverteilung niedrig gelandener Phyllosilikate mit Hilfe der Alkylammonium-Methode : сборник научных трудов / H. Hofmann, A. Bauer, L. N. Warr, 2002. - IV, 26 S. 26 S. - Текст : непосредственный.Fessler F. Abschatzung des diffusen y-Flusses im PeV-Bereich basierend auf Messungen des KASCADE Luftschauerexperiments : сборник научных трудов / F. Fessler, 2002. - 96 S. - Текст : непосредственный.Trapp J. Untersuchungen zur Resistenzentwicklung von Tumorzellinien gegenuber Apoptose-Induktoren : сборник научных трудов / J. Trapp, 2002. - 97-109 S. S. - Текст : непосредственный.International fusion material irradiation facility (IFMIF): simulation and neutronics analyses of the high flux test module / S. P. Simakov, U. Fischer, V. Heinzel, U.von Mollendorff, 2002. - 59 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7315 : Ressourcen-und Abfallmanagement von Cadmium in Deutschland / K. -R. Brautigam [et al.], 2008. - 114 S. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7457 : Measurement of the energy spectrum of ultra-high energy cosmic rays using hybrid data of the Pierre Auger Observatory : Diss. / F. Schussler, 2009. - III, 136 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7452 : Molecular geochemistry in hydrogeology: a pathway to reactive transport process understanding in natural systems / T. Schafer, 2009. - 284 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7432 : Stability analysis of the high performance light water reactor : diss. / T. Ortega Gomes, 2009. - 120 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7471 : Diesel-Dampfreformierung in Mikrostrukturreaktoren : Diss. / J. Thormann, 2009. - II, 160 S. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7392 : State-of-the-art of high power gyro-devices and free electron masers update 2007 / M. Thumm, 2008. - 111 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7385 : Trendbestimmung stratospharischer Spurengase mit Hilfe bodengebundener FTIR-Messungen : Diss. / S. Mikuteit, 2008. - IV, 150 S. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7204 : Interaction and phase relaxation in disordered nanowires and quantum hall systems : Diss. / T.Ludwig, 2006. - II, 131 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7206 : Bestimmung der Tagesgange kurzlebiger chemischer Substanzen aus MIPAS-B Spektren und Vergleich mit Simulationen eines Box-Modells : Diss. / A.Wiegele, 2006. - V, 112 S. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 6566 : Improvement of the SCDAP/RELAP5 code with respect to FZK experimental facilities / W. Hering, Ch. Homann, 2007. - VI, 87 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7330 : Jahresbericht 2006 der Hauptabteilung Sicherheit / ed.: M. Urban, A. Bickel, 2007. - IX, 183 S. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7170 : Kraftstoff, Strom und Warme aus Stroh und Waldrestholz : eine systemanalytische Untersuchung / L. Leible [et al.], 2007. - VIII, 117 p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7418 : Experimentezum Versagen des Dichtkastens fur die Materialschleusenverschraubung im Containment des KKW Philippsburg II / G. Messemer, 2008. - 15 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыLi T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.
Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях / В. Н. Галкин, 1974. - 141, [2] с. - Текст : непосредственный.Nawaz M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen, 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Langen W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren : Diss. / W.Langen, 1995. - 95 S. - Текст : непосредственный.Lee G.Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee, 1992. - 127 S. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz, 1987. - 33 p. - Текст : непосредственный.Маликов С.В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова, 2012. - 68 с. - Текст : непосредственный.Weis J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis, 1994. - 196 S. - Текст : непосредственный.Mietzner T.K.R. Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berucksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung : Diss. / T.K.R.Mietzner, 2001. - IV,124 S. S. - Текст : непосредственный.Designing with field-effect transistors : Diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner, 1990. - 296 мкфш. - Текст : непосредственный.Weiss M. Leistungscharakteristik und Sattigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs : Diss. / M.Weiss, 1988. - XI,214 S. S. - Текст : непосредственный.Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / А. Н. Игнатов, 2008. - 319 с. - Текст : непосредственный.HEMTs and HBTs:devices,fabrication and circuits : Ксерокопия / ed. F. Ali, ed. A. Gupta, 1991. - XI,371 p. p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7518 : Tuneable electron transport in metallic nanostructures : diss. / S. Dasgupta, 2009. - X, 125 p. - Текст : непосредственный.Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Прошин Ю.Н. Теория магнитного пробоя с переворотом спина электрона проводимости в нормальных металлах : специальность 01.04.02 "Теоретическая физика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Ю. Н. Прошин, 1995. - 38 с. - Текст : непосредственный.Drittler B.H. KKR-Greensche Funktionsmethode fur das volle Zellpotential / B. H. Drittler, 1991. - 131 S. - Текст : непосредственный.Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Nowack A. Punktkontaktspektroskopie an Supraleitern und f-instabilen Metallen / A. Nowack, 1990. - 179 S. - Текст : непосредственный.Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сивожелезов В.И. Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и Р-N-переходом в подложке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Сивожелезов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Рубан О.А. Влияние процесса структурной релаксации в НЕМТ на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики / О. А. Рубан, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Заказ фрагмента документа ₽