Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров А.И. Исследование встраивания и десорбции сурьмы в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. И. Никифоров, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Расмагин С.И. Воздействие вольфрамового покрытия на свойства высокоомного компенсированного кремния : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. И. Расмагин, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Чалдышев В.В. Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. / В. В. Чалдышев, 1999. - 51 с. - Текст : непосредственный.Волков Д.А. Квантовохимический метод расчета энтальпии растворения примесей Ш-Y групп в кремнии и германии : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Д. А. Волков, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Афонин Н.Н. Перераспределение легирующих примесей при термическом оксидировании монокристаллического кремния : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : диссертация на соискание ученой степени д-ра хим. наук / Н. Н. Афонин, 2004. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Адамбаев Кадамбай.Электрофизические свойства кремния, обусловленные фазовыми превращениями при диффузионном легировании маоганцем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Адамбаев Кадамбай, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ушаков Б.В. Влияние имплантации ионов кремния и селена на состав, структуру и электрофизические характеристики полуизолирующего арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 02.00.04 / Б. В. Ушаков, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Жмерик В.Н. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота: применение для Р-легирования ZnSe и роста GaN : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Н. Жмерик, 2001. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽