Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Смирнов А.А. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярной и ионной сублимации монокристаллов галогенидов щелочных металлов (LiF, NaCl, KCL, KBr, CsI) : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук / А. А. Смирнов, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.А. Снижение вредных выбросов в камерах сгорания мощных энергетических ГТУ на базе расчетных и экспериментальных исследований : специальность 05.04.12 "Турбомашины и комбинированные турбоустановки" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. А. Смирнов, 2000. - 20 с. - Текст : непосредственный.Инженерная геодезия. Геодезические задачи и полевые работы : учебное пособие / Н. Н. Загрядская, Е. Б. Махаленко, Н. Д. Беляев [и др.], 2008. - 192 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.А. Методика и технические решения для оптимизации автоматического включения межсистемных линий электропередачи : специальность 05.14.02 "Электростанции и электроэнергетические системы" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Смирнов, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.А. Разработка прикладного программного обеспечения в среде FOXBASE / А. А. Смирнов, 1993. - 85 c. - Текст : непосредственный.Персональная спутниковая связь / А. М. Аносов, В. В. Герасимов, А. В. Колосов ; Ред. А. А. Смирнов, 1996. - 97 c. - Текст : непосредственный.Смирнов А.А. Основы автоматизации целлюлозно-бумажного и лесохимического производств, 1974. - 367 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Серегин Д.С. Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем / Д. С. Серегин, 2011. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Стоянов А.А. Влияние конструктивно-технологических факторов на сборку 3D БИС с использованием технологии перевернутого кристалла (flip-chip) : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. А. Стоянов, 2017. - 18 с. - Текст : непосредственный.Орешков М.В. Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.10 / М. В. Орешков, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.А. Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме HBr и его смесей с аргоном, гелием и водородом : автореф. дис. .. канд. физ.-м ат. наук: 02.00.04 / А. А. Смирнов, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный.Малыхин Е.М. Взаимодействие плазмы с поверхностью оптических элементов, используемых в литографии экстремального УФ (13.5 нм) : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / Е. М. Малыхин, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Родионов И.А. Разработка литографических процессов изготовления СБИС с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.14 / И. А. Родионов, 2010. - 17 с. - Текст : непосредственный.Фортинский Ю.К. Управление разработкой и производством микросхем нового поколения двойного применения : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.13.10 / Ю. К. Фортинский, 2010. - 32 с. - Текст : непосредственный.Коломийцев А.С. Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. С. Коломийцев, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный.Талалай М.С. Метод логико-топологического синтеза нанометровых КМОП схем на основе транзисторных шаблонов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.12 / М. С. Талалай, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Сараев М.В. Структурный синтез гетерогенных подсистем обработки информации в многофункциональных программируемых аналого-цифровых системах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.01 / М. В. Сараев, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный.Сычева, Анастасия Александровна. Особенности физического распыления перспективных нанопористых материалов ионами инертных газов низкой энергии : специальность 01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Сычева Анастасия Александровна, 2020. - 22 с. - Текст : непосредственный.Иванов, Владимир Викторович. Исследование эффектов оптической близости и разработка методов их коррекции для критических литографических слоев технологии производства СБИС проектных норм 65 нм : специальность 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Владимир Викторович, 2021. - 35 с. - Текст : непосредственный.Иванов, Владимир Викторович. Исследование эффектов оптической близости и разработка методов их коррекции для критических литографических слоев технологии производства СБИС проектных норм 65 нм : специальность 2.2.2 - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Иванов Владимир Викторович, 2023. - 35 с. - Текст : непосредственный.Тихонова, Елена Дмитриевна. Исследование многократной литографии для улучшения разрешающей способности при производстве СБИС : специальность: 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Тихонова Елена Дмитриевна, 2025. - 22 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽