Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Теоретическое изучение механизма и кинетики газофазных реакций в смеси дихлоросилана и аммиака / А. А. Багатурьянц, А. Х. Минушев, А. С. Владимиров, 2000. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Багатурьянц А.А. Теоретическое исследование структуры нитрида кремния и механизма некоторых поверхностных реакций / А. А. Багатурьянц, К. П. Новоселов, А. А. Сафонов, 2000. - 27 с. - Текст : непосредственный.Ивин В.В. Использование математического моделирования в исследовании, разработке и оптимизации фотолитографических процессов / В.В.Ивин,Т.М.Махвиладзе, 2000. - 30 c. - Текст : непосредственный.Ивин В.В. Исследование предельных возможностей использования оптической литографии в области критических размеров менее 0,2 мкм с помощью математического моделирования / В.В.Ивин,Т.М.Махвиладзе, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМоро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : В 2-х ч. Ч. 1Ч.1 / У. Моро, 1990. - 606 с. - Текст : непосредственный.
Боровцов П.В. Литографические процессы в микроэлектронике : Учеб.пособие / П.В.Боровцов, 1995. - 58 c. - Текст : непосредственный.Баканов Г.Ф. Фотолитография : Учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению 654300 "Проектирование и технология электронных средств" / Г.Ф.Баканов,Г.В.Петрова, 2002. - 35 с. - Текст : непосредственный.Rogers J. A. Unconventional nanopatterning techniques and applications / J. A. Rogers, H. H. Lee, 2008 r=on-line. - Текст : электронный.Ануфриенко В.В. Процессы и оборудование фотолитографической обработки : Учеб.пособие по курсу "Технол.процессы и оборудование микроэлектроники" / В.В.Ануфриенко, 1998. - 66 с. - Текст : непосредственный.Валиев К.А. Физика субмикронной литографии / К.А.Валиев, 1990. - 528 c. - Текст : непосредственный.Nd laser fifth harmonic interaction with polymer films / A.A.Babin,N.M.Bityurin,A.V.Polyakov и др., 1992. - 18 p. - Текст : непосредственный.Лыньков Л.М. Субмикронная литография / Л.М.Лыньков,С.Л.Прищепа, 1999. - 205 с. - Текст : непосредственный.Chung S.-J. Strukturprofilsimulation dicker Schichten in der optischen Lithographie mit DNQ-Novolak-basierenden Photoresists / S.-J.Chung,H.Hein,J.Schulz, 1998. - 94 S. - Текст : непосредственный.Ивин В.В. Использование математического моделирования в исследовании, разработке и оптимизации фотолитографических процессов / В.В.Ивин,Т.М.Махвиладзе, 2000. - 30 c. - Текст : непосредственный.Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : В 2-х ч. Ч. 2, 1990. - С.613-1239. - Текст : непосредственный.Технология и оборудование полиграфического производства. Фототехнология в полиграфии и электронике : Межвед. сб. науч. тр. / РСФСР. Гос. ком. по делам науки и высшей школы, 1991. - 113 с. - Текст : непосредственный.Масленицын С.Ф. Термическая активация процесса травления полимера при прямом рисовании лазерным лучом / С.Ф.Масленицын,В.Б.Световой, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Brauch I.H. Wissenbasierte Modellierung des LIGA-Fertigungsprozesses : Diss. / I.H.Brauch, 1994. - 89 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Заказ фрагмента документа ₽