• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Михеев, Виталий Витальевич. Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : 01.04.04 - Физическая электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Михеев Виталий Витальевич ; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Кафедра нанометрологии и наноматериалов. - 2021. - 26 с. : граф., цв. ил. - 20 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    50.11004.33.076.4(043)
    621.316.86(043)

    Кл.слова (ненормированные): КИСЛОРОДНЫЕ ВАКАНСИИ -- МОДУЛЯЦИЯ ПРОВОДИМОСТИ -- ПЛЕНКИ ОКСИДА ГАФНИЯ-ЦИРКОНИЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
    Доп. точки доступа:
    Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет). Кафедра нанометрологии и наноматериалов

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар21-6038)

    Шифр в сводном ЭК: b44bb64763cc402f9df3615b77f9aaa2



    Заказ фрагмента документа ₽