Полное описание
Муляров, Е. А.
ГРНТИ УДК 47.33 621.315.592.9(04)
Рубрики: Контакт полупроводник-диэлектрик
Кл.слова (ненормированные): КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИК-ДИЭЛЕКТРИК -- КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИК-ДИЭЛЕКТРИК
Доп. точки доступа: Тиходеев, С.Г.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/42285/21(1995))
Шифр в сводном ЭК: 84e4a0125c654f542a05fa79a31ab268
Исследование анизотропии нелинейного поглощения в кристаллах ИАГ: V / Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, 1995. - 14 c. - Текст : непосредственный. Исследование поляризационных характеристик двухфотонного поглощения в кристалле LIF:F на длине волны 1.06 МКМ / Т. Т. Басиев, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, 1995. - 26 c. - Текст : непосредственный. Минеев А. Автоматическое согласование газоразрядного лазера с генератором ВЧ-накачки / А. Минеев, П. А. Полушин, А. Г. Самойлов, 1993. - 19 c. - Текст : непосредственный. Акулина Д.К. Рупорно-линзовая ("ускорительная") антенна для диагностики плазмы / Д. К. Акулина, Г. А. Гладков, А. Н. Накладов, 1994. - 18 c. - Текст : непосредственный. Исследование конвективных потоков изотермической жидкости в методе Чохральского, вызванных низкочастотными вибрациями кристалла / Е. В. Шариков, А. З. Мяльдун, А. И. Простомолотов, Н. К. Толочко, 1993. - 37 c. - Текст : непосредственный. Зыбин Д.Н. К вопросу о механизме ионизации в приэлектродных слоях слаботочного ВЧЕР при поперечной накачке СО2-лазеров / Д. Н. Зыбин, 1994. - 41 c. - Текст : непосредственный. Когерентная мультипольная передача энергии электронного возбуждения в кластерах резонансно взаимодействующих частиц и ее использование для квантовой информатики / И. Т. Басиева, С. К. Секацкий, К. К. Пухов, А. А. Басиев, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный. Лукьянчиков Г.С. О нетепловой реактивной силе, возникающей при электрическом разряде в системе эмиттирующих электродов / Г. С. Лукьянчиков, 2003. - 9 с. - Текст : непосредственный. Муляров Е.А. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях / Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Романов Ю.А. Нелинейная проводимость и вольт-амперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток / Ю. А. Романов, Е. В. Демидов, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный. Муляров Е.А. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях / Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный. Тагиев О.В. Механизм токопрохождения в монокристаллах Mn Ba2 Se4 в сильных электрических полях / О. В. Тагиев, Э. З. Зейналов, З. А. Искандерзаде, 1991. - 37 с. - Текст : непосредственный. Ибрагимов Т.Д. Объемные и поверхностные колебательные состояния в полупроводниковых и диэлектрических пленках / Т. Д. Ибрагимов, Х. С. Наджафова, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный. Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Маркова Н.В. Generation of electron-hole pairs in narrow-gap semiconductor heterostructures by the potential barrier (Klein's effect) / Н.В.Маркова, 1994. - 3 p. - Текст : непосредственный. Маркова Н.В. Exchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film / Н.В.Маркова, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный. Селезнев В.Н. Изменение проводимости структур на основе аморфного кремния под действием электрического поля / В.Н.Селезнев,Л.Е.Федичкин, 1990. - 15 c. - Текст : непосредственный. Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ / А.Л.Суворов,Ю.А.Чаплыгин,С.П.Тимошенков и др., 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
